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        工程師設計分析:影響電流檢測精確度的幾種規

        作者: 時間:2012-09-11 來源:網絡 收藏

        領域,牢固掌握的基礎知識,了解所使用的一些器件,知道如何計算某種解決方案的以及印制電路板(PCB)布局和問題檢修的一些指導原則都非常有用。本文將為您詳細介紹某種解決方案的一些規范,這些規范包括輸入補償電壓(Vos)、共模抑制比(CMRR)和電源抑制比(PSRR)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/176257.htm

        分流器測量的系統精確度會受到許多誤差源的,其中一些如表1所示。方程式1表明了極端系統精確度情況。

        (電子工程專輯)
        eq1

        其中,Sworst-case(%)為每個誤差源的誤差貢獻度。但是,一種更為實際的系統精確度計算方法是,將無關聯誤差寫成一個和的平方根(RSS),如方程式2所示。

        (電子工程專輯)
        eq2

        (電子工程專輯)
        表一:系統級誤差源。

        由于表1所列大部分誤差均為輸入參考(RTI),因此我們最好是就輸入方面來對精確度進行討論。參考器件輸入的誤差乘以器件增益,得到其對輸出的程度。

        輸入補償電壓

        輸入補償電壓一般為影響某種解決方案精確度的最大因素。它的定義是“一個必須施加于輸入端之間以強制靜態DC輸出電壓為零或者其他規定電平的DC電壓”。放大器的理想Vos為0V。但是,工藝差異和器件限制等原因,會導致Vos不為零。

        所有輸入參考誤差均根據理想分流器電壓計算得到。理想分流器電壓應為負載電流和理想電阻器值的乘積。系統中,標稱負載電流為5A,理想關聯電阻器值為1mΩ,則器件Vos規范的誤差貢獻程度計算方法如方程式3所示。假設我們決定使用INA170,其最大Vos規范為1mV。

        (電子工程專輯)
        eq3

        要想減小這種誤差,我們有兩種方法:增加Rshunt電阻,或者降低Vos (max)。增加Rshunt 電阻方法是否可行,取決于成本、電路板空間或者功耗情況。另外,我們也可以嘗試找到一種具有更低Vos的替代器件。

        最后,需要注意的是,負載電流與誤差成反比關系。在我們的例子中,標稱負載電流為5A時,計算得20%。如果系統負載電流減少,則Vos規范產生的有效誤差增加。因此,人員應在最小負載電流下計算極端誤差。

        共模抑制比

        在介紹CMRR以前,我們需要重新復習一下輸入共模電壓知識。放大器的輸入共模電壓為兩個輸入端的共用平均電壓。盡管這樣說確實沒有錯,但最好還是將分流器電壓同共模電壓區分開來。通過定義Vid(差動輸入電壓),可以達到這個目標。在電流檢測應用中,它還可以被看作是分流器電壓。圖1顯示了輸入共模電壓的另一種定義,其使用了差動輸入電壓。圖1還再次提出了差模增益(Adm)的概念。差動放大器的理想輸出為差動輸入電壓和差模增益的乘積。

        1.jpg
        圖1:共模電壓另一種定義。(差模增益, 差動放大器,)

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