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        基于STM32系列單片機的數控正弦波逆變電源設計與實現

        作者: 時間:2013-05-16 來源:網絡 收藏

        4)驅動電路 選用東芝半導體公司生產的高速光耦隔離型IGBT/MOSFET驅動芯片TLP250。TLP250具有隔離電壓高、驅動能力強、開關速度快等特點。驅動電路的原理圖如圖3所示。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/170498.htm

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        驅動(U1、U2)中,TLP250負責驅動信號幅值與電流的匹配,而對于全橋逆變驅動(U3、U4、U5、U6),不但要考慮驅動電平和驅動能力,還要考慮好上下管驅動信號的隔離問題。為簡化設計,全橋逆變的上管驅動(U3、U5)采用了自舉供電的方式,減少隔離電源的使用數目。
        對逆變橋的驅動電路,為避免上下管直通,設計中需要考慮死區問題。STM32單片機的PWM模塊具有死區功能,本設計采取了軟件死區方法。這樣做的另一個好處是,對不同的功率管只需改變軟件設計即可獲得最佳的死區參數。
        5)采樣電路 輸出電壓采樣用于反饋穩壓,輸出電流采樣用于過載保護,母線電流采樣用于短路保護,母線電壓采樣用于限制母線電壓虛高,輸入電壓采樣用于輸入過壓/欠壓保護。輸出采樣中使用了電流互感器與電壓互感器,大大減小了系統干擾,提高了系統的可靠性。取樣電路的原理圖如圖4所示。

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        對于輸出電流取樣,本設計中使用了5 A/5 mA電流互感器。由于電流互感器的輸出為毫伏級的交流信號,為了能夠被單片機內部AD模塊采集到,必須將其整流成直流信號并加以放大。而普通二極管整流電路對毫伏級電壓是無效的,因此,此處采用了由運算放大器(U11,LM3 58)構成的小電壓整流電路。實際測試表明,該電路有效解決了毫伏級信號的采樣問題。

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