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        基于SPWM技術的逆變電路結構簡析

        作者: 時間:2018-08-13 來源:網絡 收藏

        與常見的PWM技術相比,是一種更為成熟完善并且應用面積更廣的采樣方法。此種方法在單片機領域中應用的較多,本文就將為大家介紹在一種單片機當中,關鍵器件的取值與作用,幫助大家理解電路的運行原理。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201808/386563.htm

        圖1

        由圖1所示,在此款圖當中標示1的兩個穩壓二極管和電阻什么作用,在具體選型時應該注意什么?

        圖中標示2的地方根據資料顯示是起到緩沖作用,那么其中的原理是什么?

        電阻電容如何進行選擇?通過要緩沖是否可以像圖中標示3的地方是IR2130典型電路接法,同樣是電阻和滑動變阻器阻值怎么選,這一塊的過流檢測怎么用(4)圖中標示4的地方這個放大倍數怎么定,被放大的電流如何進行估算?

        首先來解釋一下1標示的電阻作用。在開關管關斷時,快速泄放掉的g極和e極之間的寄生電容的電壓使得關斷速度更快。電阻太大的話開通速度快,而關斷速度慢,電阻太小關斷速度快,開通速度慢,甚至不能完全開通。兩個穩壓管作用:保護的G和E之間的電壓不超過+-18V。

        2標示顯示的RC電路起到緩沖吸收的作用,如果功率電路上有較大電感或寄生電感,當IGBT關斷時,該支路上電流瞬間減小,Ldi/dt將會產生很大的沖擊電壓,擊穿IGBT,緩沖吸收電流能夠減小Ldi/dt,從而達到保護IGBT的目的。如果開關頻率不高,關斷過程較長,且IGBT電壓裕量足夠大,可省略緩沖吸收電路。

        以上就是針對技術當中一些關鍵性參數的含義與作用解釋。設計一款電路之前,找到范例并對其中的構造進行研究是很有必要的。通過對其中一些關鍵性問題的思考,能夠獲得比通過循序漸進更好-



        關鍵詞: 逆變電路 SPWM IGBT

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