飛兆推出用于鎮流器的DPAK SuperFET™

導通阻抗僅為傳統 平坦化Planar 型 MOSFET 的三分之一

全新600V / 0.6 ~ 1.2 Ohm SuperFET系列器件采用DPAK封裝，
能提高效率并減少占位空間，有助于實現纖小型照明設計


飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發出新的低導通阻抗600V SuperFET™; MOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮流器應用的DPAK (TO-252) 器件需求而設計。飛兆半導體DPAK封裝的 SuperFET器件的導通阻抗僅為傳統Planar型平坦化MOSFET的三分之一 (0.6 ~ 1.2 Ohm)，能將滿足高頻照明系統設計的系統效率需求且將開關和傳導損耗減至最小，并滿足這些快速轉換的照明設計的系統效率要求。這些器件還能可以承受鎮流器在極高頻率下可靠地工作所需的快高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 轉換開關瞬態效響應。，能在高頻鎮流器中可靠的工作。

一般而言，當標準MOSFET的擊穿電壓增大時，其導通阻抗RDS(on) 將隨之呈指數級增長，并導致芯片尺寸增大。飛兆半導體專有的SuperFET 技術則將RDS(on)與芯片尺寸的這種指數關系變為線性關系，這使SuperFET器件獲得非常出色的RDS(on) 和很小的芯片尺寸，甚至在600V擊穿電壓下亦然。飛兆半導體采用DPAK封裝的SuperFET器件是這種先進封裝技術的最新成果。

飛兆半導體功能功率部副總裁Taehoon Kim表示：“DPAK封裝器件是我們的SuperFET 產品系列的最新成員，專為滿足照明系統制造商對提高能源效率和減少占位空間的要求而設計。利用我們專有的SuperFET技術，可以獲得極低的導通阻抗以減小MOSFET芯片尺寸，并實現600V/0.6 Ohm的 DPAK封裝產品。相比之下，通常用于照明應用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件則采用較大的TO-220或 D2PAK (TO-263) 封裝。飛兆半導體的DPAK SuperFET技術為我們的客戶提供了采用更緊湊封裝的低導通阻抗器件，從而滿足了市場對更纖小化電子鎮流器不斷增長的需求。”
除了用于鎮流器的DPAK封裝器件外，飛兆半導體并針對照明、有源功率因數校正 (PFC) 和 AC/DC電源系統提供全面的SuperFET產品系列。要了解有關SuperFET產品系列的更多信息，請訪問網頁http://www.fairchildsemi.com/superfet。