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        關于UART通信端口上射頻干擾的研究

        作者: 時間:2010-04-19 來源:網絡 收藏
         根據上述理論,建議在信號通道上增加一只電容器來阻尼RF的振蕩。電容器的作用是改變天線的調諧頻率和降低天線阻抗從而降低天線增益。隨后,我們聽取了有關報告,即通過選取適當的電容,使噪聲減少到了可接受的水平。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/157492.htm

          該信號的DC偏移量可由任何CMOS輸入-輸出引腳的二極管產生。他們通常被稱作為ESD(靜電釋放)保護二極管,但是當它被配置為輸出時,它們其實是用來控制引腳的晶體管的耗盡區;那些晶體管經常做雙重用途,即在配置為輸入時還作為引腳上的ESD保護裝置。所以他們在所有CMOS輸入/輸出電路結構中都是不可缺少的。這些二極管加正向偏壓,當信號的幅度使得二極管壓降(大約0.6V)正向超過VEXT之上,或者反向低于地電平時,信號將被鉗位。為了使信號的幅度隨著天線頻帶內的RF能量的增長而增加,信號的平均電壓將可接近VEXT電壓的一半。

          這個解釋使我們得知,信號的峰峰值從VEXT+0.6V到-0.6V。但示波器所測得的幅度卻小很多。要解釋為什么幅度會減小,我們估計這是由于示波器探頭以及接觸電阻所導致的衰減所致,或者是數字示波器的采樣率不夠,比如它為了采集1GHz附近的完整信號(尤其是給定顯示窗口約10ms時),實際的采樣率可能比所需的2G采樣/每秒的速度要慢很多。圖6中對這個理論進行了描述。

          

          圖6:用于直流電壓偏移觀測的解釋描述

          RF信號是由印刷導線拾取并被饋送到芯片里,標準芯片輸入/輸出衰減器作為一個整流器,作為所有CMOS輸入-輸出引腳(芯片輸入/輸出)的一部分,二極管被正向偏壓,并對正向超過二極管管壓降(大約0.6V)VEXT之上,或者反向低于地電平時,信號的擺幅被鉗位。同時示波器和/或探頭不能測量GHz級的頻率,其表現等同一個低通濾波器。于是,在“某些”輸入/輸出引腳出現反常電壓(取決于連接到輸入/輸出引腳的印刷導線以及EMC的設計水平)。

          也有報告用0Ω電阻器替換10kΩ系列電阻器,這并不能實現消除或DC電平的偏移,但用短接線替換可以實現。留意那些電阻器可以得到解釋,即使是0Ω電阻器,也會因為封裝與一定量的電阻串聯而產生寄生電感。考慮高頻時,這個串聯的RL分量的作用比純電阻更像低通濾波器。因此似乎在產生干擾的RF頻段內,電阻分量仍然有可能有相當大的阻抗。

          解決方案

          可以通過兩種途徑減少/消除上述影響:

          1.消除/減少“干擾源”,增加系統干擾免疫(EMC保護)能力,例如將RF電路與其他數字電路隔絕,增加獨立的RF和基帶屏蔽區,保持良好接地,在手機外殼中使用EMC材料。

          2.為了去除這種“干擾”,通常應該用一只小電容器(注意將電容器緊靠在I/O引腳)。通過在靠近(AD6903.GPIO1)(_Rx)測試點附近增加一個27pf電容器到地。從示波器測量中可以發現,消除了輸入/輸出DC偏移。并且端口相應的誤碼率正常。具體參考圖7和圖8。

          

          圖7:低電平正常跡線。

          

          圖8:高電平正常跡線


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