工程師總結的估計信號完整性效應的經驗法則
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42、 如果50 歐姆微帶線中的返回路徑寬度與信號線寬相等，則其特性阻抗比返回路徑無限寬時的特性阻抗高20%。
43、 如果50 歐姆微帶線中的返回路徑寬度至少時信號線寬的3 倍，則其特性阻抗與返回路徑無限寬時的特性阻抗的偏差小于1%。
44、 布線的厚度可以影響特性阻抗，厚度增加1MIL,阻抗就減少2 歐姆。
45、 微帶線定部的阻焊厚度會使特性阻抗減小，厚度增加1MIL,阻抗減少2歐姆。
46、 為了得到精確的集總電路近似，在每個上升時間的空間延伸里至少需要有3.5 個LC 節。
47、 單節LC 模型的帶寬是0.1/TD。
48、 如果傳輸線時延比信號上升時間的20%短，就不需要對傳輸線進行端接。
49、 在50 歐姆系統中，5 歐姆的阻抗變化引起的反射系數是5%。
50、 保持所有的突變（IN）盡量短于上升時間（NS）的量值。
51、 遠端容性負載會增加信號的上升時間。10-90 上升時間約是（100xC）PS,其中C 的單位是PF。
52、 如果突變的電容小于0.004XRT,則可能不會產生問題。
53、 50 歐姆傳輸線中拐角的電容（Ff）是線寬（MIL）的2 倍。
54、 容性突變會使50%點的時延約增加0.5XZ0XC。
55、 如果突變的電感（NH）小于上升時間（NS）的10 倍，則不會產生問題。
56、 對上升時間少于1NS 的信號，回路電感約為10NH 的軸向引腳電阻可能會產生較多的反射噪聲，這時可換成片式電阻。
57、 在50 歐姆系統中，需要用4PF 電容來補償10NH 的電感。
58、 1GHZ 時，1 盎司銅線的電阻約是其在DC 狀態下電阻的15 倍。
59、 1GHZ 時，8MIL 寬的線條的電阻產生的衰減與介質此材料產生的衰減相當，并且介質材料產生的衰減隨著頻率變化得更快。
60、 對于3MIL或更寬的線條而言，低損耗狀態全是發生在10MHZ頻率以上。在低損耗狀態時，特性阻抗以及信號速度與損耗和頻率無關。在常見的級互連中不存在由損耗引起的色散現象。
61、 -3DB 衰減相當于初始信號功率減小到50%，初始電壓幅度減小到70%。
62、 -20DB 衰減相當于初始信號功率減小到1%，初始電壓幅度減小到10%。
63、 當處于趨膚效應狀態時，信號路徑與返回路徑的單位長度串聯約是（8/W）Xsqrt(f)(其中線寬W:MIL;頻率F:GHZ)。
64、 50 歐姆的傳輸線中，由導體產生的單位長度衰減約是36/(Wz0)DB/IN。
65、 FR4 的耗散因子約是0.02。
66、 1GHZ 時，FR4 中由介質材料產生的衰減約是0.1DB/IN，并隨頻率線性增加。
67、 對于FR4 中的8MIL 寬、50 歐姆傳輸線，在1GHZ 時，其導體損耗與介質材料損耗相等。
68、 受損耗因子的制約，FR4 互連線（其長是LEN）的帶寬約是30GHZ/LEN。
69、 FR4 互連線可以傳播的最短時間是10PS/INxLEN。
70、 如果互連線長度（IN）大于上升時間（NS）的50 倍，則FR4 介質板中由損耗引起的上升邊退化是不可忽視的。
71、 一對50 歐姆微帶傳輸線中，線間距與線寬相等時，信號線間的耦合電容約占5%。
72、 一對50 歐姆微帶傳輸線中，線間距與線寬相等時，信號線間的耦合電感約占15%。
73、 對于1NS 的上升時間，FR4 中近端噪聲的飽和長度是6IN,它與上升時間成比例。
74、 一跟線的負載電容是一個常數，與附近其他線條的接近程度無關。
75、 對于50 歐姆微帶線，線間距與線寬相等時，近端串擾約為5%。
76、 對于50 歐姆微帶線，線間距是線寬的2 倍時，近端串擾約為2%。
77、 對于50 歐姆微帶線，線間距是線寬的3 倍時，近端串擾約為1%。
78、 對于50 歐姆帶狀線，線間距與線寬相等時，近端串擾約為6%。
79、 對于50 歐姆帶狀線，線間距是線寬的2 倍時，近端串擾約為2%。
80、 對于50 歐姆帶狀線，線間距是線寬的3 倍時，近端串擾約為0.5%。
81、 一對50 歐姆微帶傳輸線中，間距與線寬相等時，遠端噪聲是4%Xtd/rt。如果線時延是1ns,上升時間時0.5ns，則遠端噪聲是8%。
82、 一對50 歐姆微帶傳輸線中，間距是線寬的2 倍時，遠端噪聲是2%Xtd/rt。如果線時延是1ns,上升時間時0.5ns，則遠端噪聲是4%。
83、 一對50歐姆微帶傳輸線中，間距是線寬的3 倍時，遠端噪聲是1.5%Xtd/rt。如果線時延是1ns,上升時間時0.5ns，則遠端噪聲是4%。
84、 帶狀線或者完全嵌入式微帶線上沒有遠端噪聲。
85、 在50 歐姆總線中，不管是帶狀線還是微帶線，要使最懷情況下的遠端噪聲低于5%，就必須保持線間距大于線寬的2 倍。
86、 在50 歐姆總線中，線間距離等于線寬時，受害線上75%的竄擾來源于受害線兩邊鄰近的那兩跟線。
87、 在50 歐姆總線中，線間距離等于線寬時，受害線上95%的竄擾來源于受害線兩邊距離最近的每邊各兩根線條。
88、 在50 歐姆總線中，線間距離是線寬的2 倍時，受害線上100%的竄擾來源于受害線兩邊鄰近的那兩根線條。這是忽略與總線中其他所有線條間的耦合。
89、 對于表面布線，加大相鄰信號線間的距離使之足以添加一個防護布線，串擾常常就會減小到一個可以接受的水平，而且這是沒必要增加防護布線。添加終端短接的防護布線可將串擾減小到50%。
90、 對于帶狀線，使用防護線可以使串擾減小到不用防護線時的10%。
91、 為了保持開關噪聲在可以接受的水平，必須時互感小于2.5nhx 上升時間（ns）。
92、 對于受開關噪聲限制的接插件或者封裝來說，最大可用的時鐘頻率是
250MHZ/(NxLm)。其中，Lm 是信號/返回路徑對之間的互感（nh），N 是同時開館的數量。
93、 在LVDS 信號中，共模信號分量是比差分信號分量達2 倍以上。
94、 如果之間沒有耦合，差分對的差分阻抗是其中任意一個單端線阻抗的2倍。
95、 一對50 歐姆微帶線，只要其中一跟線的電壓維持在高或低不變，則另一跟線的單端特性阻抗就與鄰近線的距離完全無關。
96、 在緊耦合差分微帶線中，與線寬等于線間距時的耦合相比，線條離得很遠而沒有耦合時，差分特性阻抗僅會降低10%左右。
97、 對于寬邊耦合差分對，線條間的距離應至少比線寬大，這么做的目的是為了獲得可高達100 歐姆的查分阻抗。
98、 FCC的B級要求是，在100MHZ 時，3M遠處的遠場強度要小于150UV/M.
99、 鄰近的單端攻擊次線在強耦合差分對上產生的差分信號串擾比弱耦合差分對上的少30%。
100、 鄰近的單端攻擊次線在強耦合差分對上產生的共模信號串擾比弱耦合差分對上的多30%。本文引用地址：http://www.104case.com/article/156308.htm
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