富士通攜手東京工業大學開發256M FeRAM

       富士通微電子（上海）有限公司日前宣布，東京工業大學（Tokyo-Tech）、富士通實驗室(Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已經聯合開發出一種用于新一代非易失鐵電隨機存儲器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)的新型材料。 這種鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使數據存儲容量達到目前FeRAM生產中使用的材料的五倍。
 
       使用基于BFO的材料，在類似于采用180nm技術制造FeRAM的裝置內，采用富士通的65nm工藝技術就可以生產出新的FeRAM。這種材料的使用，可以將FeRAM的記憶容量擴展到256M bit。 

       鑒于新一代個人化移動電子產品（例如IC卡）必須具有小巧、安全、易于操作等特點，新的FeRAM將在功耗和速度方面有大幅的改善，以便滿足此種需要。 對于這類電子產品來說，FeRAM技術可以提供最適合的非易失記憶設備，預計樣品將會在2009年發布。 

       關于富士通新款FeRAM材料 

       BFO是由鉍、鐵和氧原子構成的具有鈣鈦礦型結構的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛(PZT或Pb(Zr,Ti)O3)，但是，它的蓄電能力低，可升級性有限。PZT的技術局限在130nm節點就會反映出來，因為隨著存儲單元區的減少，對極化的要求就越高。這個技術局限預計將在2009年出現。以前曾開發過一種加入錳的BFO薄膜電容器，它能夠減少泄漏電流 ，并具有180-220 µC/cm2的交換電(switching charge) Qsw, 這相當于剩余極化2Pr的兩倍。 這些都充分顯示了將來在技術節點方面巨大的升級潛力。 

       采用65nm技術制造的FeRAM可以使用加入錳的BFO來制造，其生產設備與當前使用180nm技術生產FeRAM所用的類似。使用這種新材料的FeRAM還具有極大的可升級性，能夠使存儲容量達到2014。 

       應用 

       隨著對BFO的深入開發，大容量的256Mbit FeRAM可以得到實現，這種FeRAM與現有的1Mbit容量相比，密度將會高出2個等級。密度的提高，使得FeRAM的應用將在新的領域(例如，快速啟動，它使計算機在開機后能夠立刻使用)得到擴展，而不再僅限于在安全應用領域。FeRAM還可以用于電子紙設備，該設備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統上印刷在紙張上的大量信息。富士通將會繼續其開發和研究計劃，以便將來能夠進行嵌入式大規模集成( LSI)。 而關于BFO材料以及BFO電容器的制造技術的研究也會持續下去。

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