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        新一代手機中的EMC和ESD保護問題

        作者: 時間:2012-06-08 來源:網絡 收藏

        因為還有空間的限制因素,所以USB2.0的三條線路防護不得超過SOT666封裝尺寸。USB2.0專用防護電路見圖3。

        圖3:USB2.0拓撲

        圖3所示的軌對軌概念是效率最高的高速數據線路防護概念,是速率每秒480Mbits高速串行線路的最佳折衷方案,它兼顧了數據完整性、信號均衡性、低功耗和最嚴格的ESD標準。

        EMI抗干擾功能

        在某情況下,ESD并不是工程師要解決的唯一。因為發射和傳送RF信號時,很多電子組件受到RF輻射,因此,必須抑制RF輻射以正常的工作。甚至在某些情況下,某些IC自己也會產生RF輻射以及射頻干擾。

        基本上,很多接口都會容易受到GSM脈沖的攻擊,如音頻線路或LCD或相機模塊,產生能夠聽見的噪聲或可以看見的屏幕抖動。這就是在設計手機時強烈推薦EMI濾波器的原因。

        在某種意義上,EMI輻射抑制已成為下一代手機如多頻手機或3G手機的關鍵,因為現有解決方案即將達到技術極限。

        采用分立的電阻和電容的單一阻容PI型濾波器設計不再是節省空間的解決方案。此外,因為衰減帶寬很窄,阻容濾波器的濾波性能極差。對于空間限制極嚴,工作頻率擴大幾個頻段的多頻手機和3G手機,這類濾波器的缺陷明顯。

        設計師開始關注衰減大和衰減頻帶寬的低通濾波器,以硅為材料的集成EMI濾波器是適合所有這些需求的濾波器,它表現出極寬的衰減范圍,從800MHz到 2GHz或3GHz,S21參數超過30db等。同時,這些濾波器可針對高速數據應用實現低寄生電容結構和超小的PCB空間。

        硅EMI濾波器:LC型還是RC型?

        對上文提及的兩種技術的純濾波性能進行對比,在某種意義上我們看見相似的濾波特性,兩種結構都表現出極寬的抑制頻帶。這些主要特性的取得歸功于能夠最大限度降低濾波器(無論是RC還是LC型)的寄生電感的集成概念。

        然后,LC濾波器能夠優化低頻的插入損耗。與RC濾波器相比,濾波特性在技術規格中確實存在明顯的差別。但是考慮到特性曲線是在50Ω環境中測量到的,設計師可能注意到,在應用條件下,因為多數IC是高阻抗元器件,RC濾波器的串聯電阻或LC濾波器的串聯電感對插入損耗的影響可忽略不計。因此,即使在濾波器技術規格中看到插入損耗的差異,這個差異也不真地適合應用條件。

        盡管如此,我們可以使RC或LC濾波器信號傳輸能力實現差異化。特別是在高頻下,LC濾波器可能具有RC濾波器絕對沒有的某些振蕩效應。這些寄生振蕩可能會干擾信號甚至會產生比RC濾波器更長的延遲時間。圖4所示是通過硅LC濾波器進行的信號傳輸測試,從圖中可以看到振蕩效果。

        最后,EMI濾波器是使用硅RC還是LC,兩者之間沒有明顯的性能差異,因為它們的特性在實際應用中基本相同,低阻抗環境除外。順便提及一下,考慮到現有的硅技術,電阻的集成密度比電感器高出很多。因此,LC濾波器的制造成本高于RC濾波器。

        現在讓我們對比無源LC濾波器和硅RC濾波器,大家熟知的兩者之間的差異是,無源技術基于集成變阻器(而硅濾波器集成的是二極管)。因此,這種濾波器不如硅RC濾波器耐用,同時過濾特性類似于分立電容器,這意味著抑制頻帶尖而窄,不能為多頻手機100%優化。

        濾波器的RC耦合是設計人員必須精心選擇的首要特性,本質上說,應用的信號傳輸速度越快,濾波器線路的總電容就應該越小。

        因此,對于UART、RS232或音頻線路,標準電容在幾百個pF范圍內的EMI濾波器足以確保優秀的濾波性能和最小的信號干擾。

        對于高速接口像LCD或CMOS傳感器,濾波器的寄生電容對視頻信號完整性的影響很大,所以電容值必須降到最低限度,幾十個兆赫茲的頻率,電容必須小于20pF。

        這又帶來了新的問題,因為濾波器的濾波性能會因為本身電容變小而降低。

        因為最近的半導體設計,現在市場上出現了超低電容EMI濾波器結構,以及超高衰減量、寬帶抑制和符合IEC61000-4-2第4級的ESD保護功能。意法半導體是市場上率先推出電容超低、抑制帶寬極大并符合IEC61000-4-2第4級安全標準的濾波器結構,EMIF08-VID01F2在 800MHz到3GHz頻帶內可以實現30dB以上的衰減抑制,同時在3V工作電壓時其線電容只有17pF。

        要想取得最佳的濾波性能,除考慮硅產品本身的特性外,還要考慮組件的封裝和布局,這就是大多數基于硅的EMI濾波器采用400um管腳間距的倒裝片封裝或microQFN封裝的原因。微型封裝的主要優勢之處是寄生電感影響小,從而最大限度地提高了高頻下的衰減特性;其次微型封裝尺寸小,有助產品的微型化趨勢。

        400um管腳間距還可簡化和最小化濾波器與I/O連接端子之間的布局連接,因此,使用管腳間距較小的新封裝有助于提高PCB+布局+濾波器的系統整體性能。圖5所示是ST的一個超小濾波器的簡圖。

        與分立的電容和電阻占用的PCB電路板空間相比,像EMIF08這樣的倒裝片和mQFN封裝的硅濾波器可節省PCB空間近70%,將組件數量從18個減少到1個,同時還能維持或降低應用的整體成本。

        最后,RC硅濾波器是一個具有競爭力的解決方案,其過濾性能、ESD保護和PCB空間占用超過了分立解決方案。除單純的性能對比外,集成解決方案更適合手機對寬衰減帶寬和高密度集成電路板的需求。

        本文小結

        在手機設計的初始階段,ESD和EMI問題變得越來越突出,必須根據實際應用選擇專門的方法來解決ESD和EMI問題。雖然保護組件本身的性能十分關鍵,但是布局考慮也有助于提高系統的整體防護性能。


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