如圖1所示為可見，SiGe技術在射頻器件上的應用已經跟RF CMOS技術相當，有理由相信，下一步目標就是超越GaAs技術而占據主流。
本文總結
隨著多種無線通信標準在手持設備上的應用，只有進一步降低射頻功率放大器的功耗，才能延長便攜式設備的電池使用時間，從而獲得更加的用戶體驗。本文通過對射頻功率放大器所采用的三種主要工藝技術進行的簡要比較，指出未來的發展趨勢在于采用SiGe工藝技術來制造射頻功率放大器，這是無線電電子系統設計工程師需要關注的技術趨勢。
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