聯電宣布與IBM共同開發10奈米CMOS制程

　　晶圓代工大廠聯電(UMC)日前與IBM 共同宣布，聯電將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10納米CMOS制程技術。聯電與IBM兩家公司此次的協議，拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協議。

　　擁有IBM的支援與know-how，聯電將可持續提升其內部自行研發的14納米FinFET 技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計劃開發 10納米制程基礎技術，以滿足聯電客戶的需求。聯電將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納米研發計劃，而聯電14納米FinFET與10納米未來的制造，則將于該公司位在臺灣南科的研發中心進行。

　　IBM半導體研發副總Gary Patton表示：「IBM聯盟成立至今已逾十年，聯盟夥伴可整合運用我們的專業知識，團隊研究合作與創新的技術研發，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯華電子的加入，將使聯盟的實力更加強大。」

　　聯電執行長顏博文表示：「IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯華電子十分高興與IBM在先進制程領域攜手合作，貢獻我們多年來開發高競爭力制造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯華電子肩負著適時推出尖端制程，以實現客戶次世代晶片設計的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術專業來縮短我們10納米與FinFET 的研發周期，為聯華電子與我們的客戶締造雙贏。」