瑞薩電子宣布推出低通態(tài)電阻功率MOSFET

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)于日前宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻 MOSFET 產(chǎn)品，包括在網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORing FET使用的 µPA2766T1A。　　

瑞薩電子低通態(tài)電阻功率MOSFET µPA2766T1A

　　新產(chǎn)品的30V電壓通態(tài)電阻為0.72m?(典型值)，較瑞薩電子之前的產(chǎn)品降低了50%，達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平。此外，產(chǎn)品的高效性以及小型表面封裝包(8-針HVSON)等功能可使得在更小規(guī)格的封裝內(nèi)完成高電流控制，從而降低了功耗、實(shí)現(xiàn)了相對大型服務(wù)器存儲系統(tǒng)所用電源的微型化。

　　對于任務(wù)關(guān)鍵系統(tǒng)，常見的功能是提供冗余功率輸出，即：通過帶有對服務(wù)器存儲系統(tǒng)保持高可靠性的多電源裝置的ORing FET來完成。這些ORing FET被連接到每個電源裝置的功率輸出線上。在正常運(yùn)行過程中，它們能夠保持接通狀態(tài)。但是，如果其中一個電源失效，相應(yīng)裝置的ORing FET將會切換到斷開狀態(tài)，以確保將其與其他電源裝置隔離開，并保證失效電源裝置不會中斷系統(tǒng)電源。

　　在正常運(yùn)行過程中，功率輸出線路能夠處理幾十到幾百安培的強(qiáng)大電流。ORing FET必須擁有低通態(tài)電阻特性以防止增加傳導(dǎo)損耗或降低電源電壓。

　　為了滿足這種需要，瑞薩電子在本公司新型低通態(tài)電阻工藝的基礎(chǔ)上，研發(fā)了一套(三件)MOSFET產(chǎn)品。新型µPA2764T1A、µPA2765T1A 和 µPA2766T1A能夠滿足上述需要，能以更小的規(guī)格提供行業(yè)領(lǐng)先的電源裝置內(nèi)的低通態(tài)電阻。

　　新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的主要特點(diǎn)

　　(1) 業(yè)內(nèi)最低的通態(tài)電阻

　　新型的µPA2766T1A 可為5 mm × 6 mm 封裝內(nèi)的30V應(yīng)用程序提供0.72 m?的業(yè)內(nèi)最低通態(tài)電阻，通過降低智能領(lǐng)域關(guān)鍵應(yīng)用程序——網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲系統(tǒng)中所使用的電源裝置的傳導(dǎo)損耗，提高了系統(tǒng)的總體功率效率。此外，該項(xiàng)功能使我們能夠抑制隨大電流產(chǎn)生的較大壓降。而且，即使在電源裝置出現(xiàn)大幅度電流波動的情況下，也能獲得高精度電源電壓。

　　(2)帶小面積安裝和大電流控制支持功能的8針HVSON封裝

　　由于金屬板用于將封裝內(nèi)的FET模具連接到引腳上，所以8針HVSON 封裝可提供低封裝電阻。此項(xiàng)功能，加上FET模具的低通態(tài)電阻，使得即使在尺寸為5 mm × 6 mm的緊湊型封裝內(nèi)，也能實(shí)現(xiàn)對高達(dá)130 A (ID (DC))大電流的控制。此外，在多個ORing FET以并聯(lián)的形式連接到每個電源裝置上以供應(yīng)較大電流的情況下，產(chǎn)品的這一特征通過實(shí)現(xiàn)最少數(shù)量的并聯(lián)連接，還有助于縮小設(shè)備尺寸。

　　這三種新型MOSFET產(chǎn)品，包括 µPA2766T1A，擁有0.72 m?至1.05 m?(標(biāo)準(zhǔn)值)的通態(tài)電阻額定值。這一范圍可實(shí)現(xiàn)更好的產(chǎn)品選擇，從而能夠以最佳的狀態(tài)滿足用戶在運(yùn)行電流或環(huán)境條件方面的要求。而且，它還使得客戶能夠提供最佳產(chǎn)品，有助于提高功率效率、降低空間要求。

　　瑞薩電子計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)產(chǎn)品線的拓展，繼續(xù)努力降低通態(tài)電阻、開發(fā)更小規(guī)格的封裝，以滿足客戶不斷變化的需求。