瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET

　　瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應三極管(超級結(jié)MOSFET)，具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應用。這一行業(yè)領先的低導通電阻和低柵極電壓的組合平臺，同時結(jié)合了快速體二極管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助于提高家用電器電機驅(qū)動的效率，如空調(diào)等采用帶逆變控制的高速電機的家電。　　

　　近年來，對于環(huán)保的日益重視使人們不斷致力于提高電子設備的能源效率并減少能源消耗。特別是對于空調(diào)和電視等家用電器中的電源電路，更加強調(diào)要降低能耗并提高效率。這就催生了對于降低這些產(chǎn)品中，功率器件功耗的需求(這是更低導通電阻和更好的開關(guān)特性的功能)，從而提高整體的能源使用效率。

　　過去，采用高壓、高速電機和逆變器的空調(diào)和其它家用電器，一般會在一個封裝中采用帶分立式快恢復二極管(FRD)的IGBT，以實現(xiàn)短的反向恢復時間(trr)。目前，對于更加高速開關(guān)的需求，以及在穩(wěn)態(tài)運行和高性能狀態(tài)下的更低功耗需求，產(chǎn)生了對于帶快速恢復體二極管特性的超級結(jié)MOSFET的需求。與傳統(tǒng)的平面架構(gòu)不同，超級結(jié)MOSFET在不降低器件耐壓能力的情況下，降低了導通電阻，使其可以產(chǎn)生具有每單位面積更低的導通電阻。隨著行業(yè)向著更加節(jié)能的方向發(fā)展，為了滿足對于這些器件日益增長的需求，瑞薩公司利用其在功率器件技術(shù)方面積累的豐富經(jīng)驗，新開發(fā)了一系列采用高速體二極管的高性能超級結(jié)MOSFET，實現(xiàn)了低功耗，并提升了高速開關(guān)性能。

　　新款超級結(jié)MOSFET的主要特性：

　　(1) 業(yè)界領先的低導通電阻
　　憑借從早期為PC服務器和LCD TV等應用所設計的超級結(jié)MOSFET器件中積累的經(jīng)驗，瑞薩已經(jīng)在具有低柵極電壓的600V功率半導體器件上實現(xiàn)了150 mΩ(典型值)的導通電阻。這就為采用高速電機和逆變控制的家用電器等應用實現(xiàn)了電源效率的改善。

　　(2)更短的反向恢復時間
　　新款超級結(jié)MOSFET器件具有內(nèi)置的快速體二極管，其規(guī)格優(yōu)化用于高速電機控制應用。二極管的反向恢復時間顯著縮短，僅為150ns，約為現(xiàn)有類似功率超級結(jié)MOSFET器件中二極管的三分之一。

　　(3)高速開關(guān)性能，顯著降低鳴響等副作用
　　瑞薩通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)，改進了漏柵電容，從而最大限度地減少鳴響，同時還保證了高速的開關(guān)性能。這一改進有助于降低功耗和穩(wěn)定操作，特別適用于三相橋式電路，廣泛用于高速電機和逆變器控制應用中。

　　瑞薩通過提供總的信號鏈解決方案持續(xù)為客戶提供技術(shù)支持，方案將微控制器(MCU)與模擬和功率器件相結(jié)合，并希望增加其作為功率半導體器件全球領先供應商的地位。瑞薩考慮將這一新的高精度超級結(jié)MOSET器件系列作為其高壓功率器件陣列的核心，旨在進一步增強其產(chǎn)品系列。瑞薩還將針對電機和反極器應用擴大其配套解決方案的范圍，將新的超級結(jié)MOSFET器件與瑞薩RL78系列低功率MCU，RX系列中檔MCU、以及用以驅(qū)動功率半導體器件的光耦相結(jié)合。整合了新型超級結(jié)MOSFET器件的參考開發(fā)板也計劃推出，從而為客戶提供配套評估和產(chǎn)品設計方面的支持。

　　超級結(jié)MOSFET器件的外形可采用相當于下列工業(yè)標準封裝：TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK)和LDPAK (RJL60S5DPE)

　　價格和供貨情況

　　瑞薩電子新款RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE SJ- MOSFET將于2012年9月推出，價格為每片US$2.0。量產(chǎn)計劃于2012年12月進行，到2013年3月三種產(chǎn)品的月產(chǎn)量總額將達到500,000片。(價格和供貨情況如有變化，恕不另行通知。)

　　請參考附表，了新產(chǎn)品的主要技術(shù)規(guī)格。

　　附表

　　新型超級結(jié)MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格

• 所有產(chǎn)品版本共有的項目

　　■ 額定通道溫度 (Tch): +150°C
　　■ 額定漏極電壓 (VDSS): 600 V
　　■ 額定的柵極源電壓(VGSS): ±30 V
　　■ 額定的漏電流(ID): 20 A at Tc = 25 C
　　■ 導通電阻 (RDS(on))，典型值: 150 mΩ (當 ID = 10 A, VGS = 10 V時)
　　■ 反向傳輸電容 (Crss)，典型值: 13 pF (VDS = 25 V)
　　■ 柵極源闕值電壓 (VGS (OFF)): Min. 3 V 至最大 5 V
　　■ 體二極管FRD 前向電壓(VF): 0.96 V (當 IF = 10 A時)
　　■ 體二極管FRD 反向恢復時間(trr): 150 ns (當ID = 20 A時)

• 封裝

　　■ RJL60S5DPP-E0: TO-220FP
　　■ RJL60S5DPK-M0: TO-3PSG
　　■ RJL60S5DPE-00: LDPAK