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        羅姆開發出超低IR肖特基勢壘二極管

        作者: 時間:2012-06-26 來源:電子產品世界 收藏

           <規格>  

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/133946.htm
         

          <術語解說>
          ?肖特基勢壘(Schottky-Barrier Diode:SBD)
          使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結,利用其可得到整流性(特性)的。具有“正向壓降少、開關速度快”的特點。主要用于開關電源等。

          ?快速恢復二極管(Fast Recovery Diode: )
          正向施加的電壓向反向切換時,反向電流瞬間流過。這種電流到零之間的時間―即反向恢復時間快的一種二極管。

          ?VF ( Forward Voltage)
          是指正向電流經過時二極管產生的電壓值。數值越小功耗越少。

          ?IR(Reverse Current)
          是指施加反向電壓時發生的反向電流。數值越小功耗越少。

          ?熱失控
          反向損耗超過散熱,損耗進一步增加,產品溫度呈指數級上升的狀態。

        模擬電路相關文章:模擬電路基礎



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        關鍵詞: 羅姆 二極管 FRD

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