羅姆開發出超低IR肖特基勢壘二極管 作者： 時間：2012-06-26 來源：電子產品世界 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> <特點>本文引用地址：http://www.104case.com/article/133946.htm 1) 與傳統產品相比，損耗約降低40% 與一般用于車載的FRD相比，VF降低約40%。有助于降低功耗。 2) 小型封裝有助于節省空間 與傳統產品相比，可實現小一號尺寸的封裝設計。 3) 高溫環境下亦無熱失控 實現了超低IR，因此Ta=150℃也不會發生熱失控，可在車載等高溫環境下使用。 模擬電路相關文章:模擬電路基礎 上一頁 1 2 3 下一頁
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