羅姆開發出超低IR肖特基勢壘二極管

　　日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)近日面向車載、電源設備，開發出高溫環境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘二極管“RBxx8系列”。與傳統的車載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動車(EV)和混合動力車(HEV)等要求更低功耗的電路節能。

　　本產品已從1月份開始銷售樣品(樣品價格50～200日元/個)，從5月份開始以月產100萬個的規模進行量產。關于生產基地，前期工序在羅姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本岡山縣)，后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞)，ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰國)、ROHM Korea Corporation(韓國)進行。　　

 　　高溫環境下使用的車載、電源設備的電路中，由于擔心熱失控，因此普遍采用整流二極管和快速恢復二極管(FRD)。但是由于整流二極管和FRD的VF值較高，因此很難實現EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下，VF值較低的肖特基勢壘二極管(SBD)在高溫環境下亦可安全使用的產品的開發需求逐年高漲。

　　此次，羅姆通過采用最適合高溫環境的金屬，實現了業界頂級低IR化。與傳統的SBD相比，IR降低到約1/100，使高溫環境下的使用成為可能。

　　由此，整流二極管和FRD的替換成為可能，VF特性得以大幅改善(與傳統的FRD相比，VF降低約40%)。另外，更低VF可以抑制發熱，成功實現小型化封裝，有助于不斷電子化、小型化需求高漲的EV、HEV節省空間。

　　羅姆今后還會進一步推進整流二極管的替換帶來的低VF化、小型化，不斷為提高車載、電源設備的效率做出貢獻。