力旺加速布局65/55nm制程 攻高階CE市場

　　力旺電子(eMemory)日前宣布，其單次可程序(one time programmable, OTP)內存技術已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺通過可靠度驗證，進入量產階段;另外，多次可程序(multiple times programmable, MTP)內存技術則同步于65納米制程平臺進行驗證中，將可應用于對嵌入式儲存組件規格要求日益嚴苛之高階多媒體與數字消費性電子產品，如智能手機、平板計算機與數字電視機上盒等。

　　力旺表示，其單次可程序產品 NeoBit 與多次可程序的 NeoFlash, NeoEE 等，均正朝更先進制程轉移。該公司的65納米 NeoBit OTP 日前已通過可靠度驗證，即將進入量產，而針對下一世代55納米與更先進制程平臺，力旺電子亦全力積極布局，目前已與數家國際級晶圓代工廠合作開發中，預計55納米高電壓制程之NeoBit將可于2012年Q2通過驗證，進入試產階段。

　　根據iSupply報告顯示，預估2010~2015年間，智能手機和多媒體平板計算機出貨量，將分別以28.5%和72.1%的年復合成長率攀升，看好未來高階多媒體與數字消費性電子發展潛力，力旺表示，該公司每年持續投入超過30%之營業費用于研發創新技術，發展先進嵌入式非揮發性內存硅智財，先前80納米高壓制程之NeoBit OTP已進入量產，并對權利金收益有所挹注。

　　力旺電子嵌入式非揮發性內存之主要功能為儲存參數設定與身分識別密碼，以近期熱門之數字電視機上盒與NFC相關應用為例，力旺電子之嵌入式EEPROM NeoEE即可作為協助儲存密碼、金額或身分識別數據使用，目前前項提及之相關產品以65納米與40納米制程為主力，而力旺電子相關技術亦同步開發中。近期65納米之NeoEE進行驗證測試獲得98%以上之優異良率，預期2012年起即可對營收產生正面貢獻。

　　力旺電子的嵌入式非揮發性內存技術包含單次可程序OTP NeoBit與多次可程序MTP NeoFlash、NeoEE等硅智財，由于架構簡單，與邏輯制程完全兼容，不論建構于現有制程，或嵌入使用于客戶端之產品，均可在不修改制程的前提下，直接進行設計。

　　目前力旺電子嵌入式非揮發性內存技術已廣泛建置于0.5微米至0.11微米等各類型邏輯與衍生制程，加上近期于晶圓代工廠之先進制程布局，將可提供尖端設計客戶具備完善質量與高可靠度之全方位嵌入式非揮發性內存解決方案。目前力旺電子擁有超過250件專利，全球Fabless客戶數已突破310家，累計至2011年12月，內嵌力旺電子硅智財之量產八吋晶圓片數已超過340萬片。