力旺電子與聯華電子擴大技術合作

　　全方位之嵌入式非揮發性內存硅智財供貨商力旺電子與世界一流的晶圓專工公司聯華電子日前共同宣布，雙方擴大技術合作，將力旺電子獨特開發之OTP (One-Time-Programmable embedded non-volatile memory ,單次可程序嵌入式非揮發性內存) 及MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory, 多次可程序嵌入式非揮發性內存) 技術廣泛布建于聯華電子0.18微米至28奈米世代之制程平臺，布建范圍橫跨成熟與先進制程，不僅可提供客戶全方位之嵌入式非揮發性內存解決方案，并展現聯華電子掌握尖端制程優勢，積極擴展eNVM全方位技術版圖之決心。

　　聯華電子與力旺電子自2006年開始展開了長期的合作，聯華電子將力旺電子單次可程序嵌入式非揮發性內存技術成功布建于其0.18微米以下之制程平臺，至今已創造許多佳績。力旺電子之eNVM技術應用相當廣泛，涵蓋智能型手機與平板計算機之電源管理芯片、高階液晶顯示器驅動芯片、觸控面板控制芯片、電源計量芯片、傳感器控制芯片、音訊編譯碼芯片與近場無線通訊芯片等各項主流消費性電子產品領域。此次擴展合作范圍，聯華電子除擴增采用力旺電子之OTP技術，更擴大導入MTP技術領域，將能以更完整之嵌入式非揮發性內存制程平臺，強化技術服務支持廣度，滿足更多不同客戶需求。搭配聯華電子在先進制程的布局，亦已為力旺電子在28、40奈米之制程平臺保留了絕佳的參與位置與發展舞臺。

　　力旺電子近年來致力于全方位的可程序嵌入式非揮發性內存之技術開發，目前產品線包括NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash、NeoEE等系列性技術與硅智財，為業界少見能夠于OTP及MTP嵌入式非揮發性內存技術領域，提供全方位完整布局之硅智財廠商。力旺電子MTP技術可適用各種不同產品應用，針對寫入次數小于10次之應用;中低容量，高寫入次數之應用;中高容量，高寫入次數之應用或多次可程序嵌入式非揮發性內存技術之應用等，力旺電子均能搭配各種應用之需求提供最適合之解決方案。且不論NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash或者是NeoEE等技術，均保有與邏輯制程高度兼容之特性，制程簡單，易于延伸至各制程世代之特性，是晶圓代工廠有效快速布建eNVM制程平臺之最佳合作伙伴。

　　針對此技術研發與授權協議，聯華電子負責硅智財與設計支持的簡山杰副總表示：「聯華電子很高興擴展了與力旺電子自2006年以來的長期伙伴關系。聯華電子樂見力旺電子的OTP與MTP技術加入28奈米制程平臺，并且進一步提供許多特殊制程選擇給我們的客戶采用。借著為不同需求的客戶，提供更好更有競爭力的eNVM技術，我們可同時提升客戶現在與未來產品世代的系統單芯片設計之競爭實力。」

　　力旺電子總經理沈士杰博士表示：「我們很高興能與長期重要策略合作伙伴聯華電子加深合作關系，秉持embedded wisely, embedded widely的核心精神，將公司核心技術全方位導入聯華電子之各項制程平臺，整合雙方之專業分工與研發能量，提供IC設計客戶性能卓越且質量可靠之嵌入式非揮發性內存平臺，協助客戶持續掌握市場契機。」

　　展望未來，力旺電子與聯華電子的合作將能強化彼此競爭優勢，以更多元的嵌入式非揮發性內存技術以及高效能之制程平臺，擴展各制程世代應用領域的廣度與深度，配合客戶不同產品應用與容量的設計需求，提供更完整且全方位的嵌入式非揮發性內存技術與生產服務，達成硅智財供貨商、晶圓代工廠以及客戶三贏的目標。