英飛凌射頻大功率管技術交流會成功舉辦

　　2011年12與1日，全球知名的半導體企業英飛凌攜手其增值服務分銷商世強電訊，在福建泉州聯袂舉辦“英飛凌射頻大功率管技術交流會”，會議主要邀請了來自泉州及周邊城市微波射頻領域的資深技術工程師、管理人員等前來參會。

　　圖：英飛凌射頻大功率管技術交流會簽到處

　　本次會議旨在向業內客戶分享射頻領域最新的技術應用與市場情況，同時趁此機會與現場的工程師們面對面交流技術設計中的種種疑問，并探討最佳的解決之道。會議首先由來自英飛凌的工程師介紹英飛凌LDMOS產品路線及封裝科技，對于現場工程師們比較關注的infineon LDMOS APD Doherty設計經驗分享則放在本次會議的重心環節，詳細介紹了Infineon LDMOS供電pin腳的特殊之處，以及如何通過LDMOS型號功率來進行功率分配，微帶計算，從而進行Doherty功放設計;同時針對目前技術發展需求，介紹了非對稱2路Doherty PA的設計方法，3路Doherty PA設計方法，并著重介紹了如何調試的問題;另外，還就Infineon小信號這一塊，如LNA做了相關介紹;主辦方還安排出充足的時間對現場提出的各種問題進行了深度交流與溝通。

　　圖為：英飛凌射頻大功率管技術交流會現場

　　來自世強的資深FAE重點對幾款英飛凌LDMOS功放DEMO做了介紹，如針對單載波WCDMA設計的射頻方案，針對PICO 1W項目設計的方案，針對寬帶LDMOS設計的射頻方案等，這些demo方案，大多是由世強射頻實驗室設計而成，根據不同客戶的需求做的一些方案設計，在保證客戶性能的同時，力求設計簡單，匹配容易，效率高，與預失真配合良好等特點。現場還詳細介紹了Infineon LDMOS性價比非常高的幾款產品，尤其是針對大功率，如250W單管封裝，340W的LDMOS產品。針對這些產品與技術方案，世強電訊可憑借強有力的FAE支持團隊，給予客戶更大力度的支持。