DRAM續唱悲歌 臺系3大廠3Q虧損達256億元

　　DRAM廠第3季財報陸續公布，在價格崩盤、減產導致出貨減少下，各廠第3季虧損金額都持續擴大，南亞科和華亞科合計單季虧損將近新臺幣190億元，力晶第3季則虧損66.63億元，對于DRAM產業后市，南亞科釋出悲觀訊息表示，近期泰國洪水問題影響到硬碟馬達龍頭廠日本電廠(Nidec)，客戶對于11、12月訂單仍在評估中，最悲觀的情況是對2012年1、2月需求產生沖擊，讓DRAM市場更加疲軟。

　　南亞科2011年第3季自行營收73.23億元，較上季減少約36%，營業凈損98.2億元，稅后虧損119.63億元，以股本403億元換算，單季每股虧損2.97元;華亞科第3季營收89.44億元，營業損失約69.17億元，稅后虧損約70.22億元，單季每股虧損1.52元，其中第3季稅后虧損包含跌價損失約11.98億元。

　　力晶原本第2季虧損大幅縮小，但第3季在DRAM價格大跌、減產和減少出貨下，單季虧損幅度再度擴大至66.63億元，換算每股稅后虧損1.2元;合計南亞科、華亞科、力晶3大DRAM廠第3季虧損高達256億元。

　　南亞科發言人白培霖表示，日前泰國洪水問題影響硬碟供應鏈，尤其是市占率超過50%的馬達龍頭廠商日本電產的泰國廠飽受洪災之傷，將影響到未來個人電腦(PC)和筆!記型電腦(NB)市場出貨情況，雖然客戶稱10月仍有庫存因應，但11、12月狀況都還在評估，最糟的可能性是影響2012年1、2月出貨，因此對DRAM需求也會疲軟;再者，2011年第4季并沒有傳統需求的跡象。

　　南亞科第3季虧損擴大，主要是因為其出貨量較第2季減少7%，DRAM平均售價受到崩盤影響而大跌32%，導致單季虧損逼近120億元;南亞科指出，已于7月正式導入30奈米制程技術作試產，預計2012年進入量產，期望降低成本結構。

　　展望第4季，南亞科預估位元成長率(bitgrowth)將較第3季成長5~10%，全年位元成長率預估為55~60%;再者，2011年資本支出仍維持120億元，主要是添購轉進30奈米制程技術的機器設備;再者，南亞科日前為提升凈值，避免每股凈值轉負引發下市危機，因此宣布辦理150億股以內的私募，預計于11月17日舉行臨時股東會，整起私募案寄望于11月底前完成。

　　華亞科第3季每片晶圓所的晶粒數較第2季增加15%，但每片晶圓平均營收則較上季減少21%，第3季晶圓出貨雖較上季成長12%，但營收仍是較上季減少12%。

　　華亞科已于9月初完成42奈米制程轉換，第3季位元出貨量為28%，在制程轉換帶動下，晶片生產總成本減少16%;華亞科表示，預估2011年第4季位元出貨量將增加15~20%，全年位元出貨量預期將達130%。

　　再者，華亞科從8月中開始試產30奈米制程，預計2012年第1季將開始進入量產30奈米4GbDDR3產品，目標是在2012年中30奈米制程比重可達30%。

　　華亞科指出，2011年前3季已入帳資本支出為113億元，因42奈米制程轉換所需費用較預計減少，且30奈米制程轉換規劃將暫時先不動用華亞M廠(原亞美科技廠房)，因此2011全年資本支出將由原本的170億元下調至120億元。

　　除了南亞科進行募資之外，華亞科日前也規劃辦理現金增資，預計發行11億股普通股，為轉進30奈米制程做準備。