南韓媒體稱海力士半導體30納米工藝轉換不順

　　據南韓電子新聞報導，全球主要DRAM內存芯片業者陸續投入微細制程轉換作業，然而海力士半導體(Hynix)在轉換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細制程轉換競爭中，一直緊追在海力士之后的爾必達(Elpida)，可能會更快完成制程轉換作業，并動搖海力士數年來維持的競爭力。對此說法，海力士反駁道，目前皆依照計劃日程順利進行轉換中。

　　南韓相關業者引用DRAMeXange報告指出，三星電子(Samsung Electronics)、海力士、爾必達等主要DRAM內存芯片業者展開轉換至30納米等級以下微細制程的激烈競爭，其中三星與其他競爭業者維持相當大的差距。

　　三星30納米制程比重持續擴大，至2011年底預估將可擴大至50%。爾必達計劃從6月開始投入30納米制程量產，以年底達到整體產量50%為目標積極作業中。

　　而海力士從2011年第1季開始在30納米制程中首度采用6F2 Layout進行生產，但至2011年下半在擴大30納米制程比重仍受限制，主要原因在海力士是首度在30納米制程中采用6F2技術，而30納米制程轉換作業又有技術上的困難。南韓證券專家對海力士是否能順利擴大30納米制程比重也抱持尚待觀察的態度。

　　9個多月前三星便已開始轉換到30納米制程，目前仍未能大幅擴大比重，而海力士轉換制程至今約4個月，仍難說會有怎樣的成果。南韓Mirae Asset Securities分析師表示，40納米以下的制程比起現有制程，在技術方面的難易度較高，因此較難預測未來是否能順利轉換成功。三星從以前就已經使用6F2技術，而海力士則是從30納米制程才開始采用6F2技術，在擴大比重方面較難抱持樂觀態度。如果海力士在轉換到30納米制程上仍無法擺脫瓶頸，恐怕會被爾必達趕過。

　　對于外界的評價，海力士表示，進行尖端技術開發已有一段時日，且擴大資本支出，在擴大比重方面不會有問題。海力士相關人員表示，從第1季開始投入30納米DRAM量產，計劃至年底將比重擴大至40%。且海力士為了使用6F2技術，從過去就已持續進行相關研究，目前正順利進行制程轉換當中，在擴大比重方面也將會依照日程順利進行。