宏力半導體0.18微米低本高效OTP制程成功量產

　　上海宏力半導體2日宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個產品已經成功量產。該OTP 制程結合了力旺電子的綠能OTP解決方案和宏力半導體自身的0.18微米技術節點，在使用較少光罩層數的同時，創造了業內OTP最小單元尺寸(cell size)的記錄。

　　宏力半導體繼2009年與其戰略合作伙伴力旺電子成功開發0.18微米低本高效的OTP技術平臺后，已有20多件產品相繼投入量產，每月投片量達數千片。該OTP單元尺寸僅0.8平方微米，比市場上現有傳統的0.35微米OTP縮小達6倍，在創造行業記錄的同時，其出色的數據存儲性能也已在多顆MCU (微控制器)產品上得到了驗證。與傳統的0.35微米OTP制程相比，該0.18微米OTP制程采用了STI (淺槽隔離)代替LOCOS (局部場氧化)，并按照0.18微米后端制程的設計規則，使芯片的尺寸縮小30%以上。另一方面，該解決方案至少可以減少5層光罩層，使總光罩層數僅為14層。此外，宏力還提供整套硅驗證(silicon proven) IP及單元庫以幫助客戶大幅縮短產品上市的時間。