三星拉大DRAM制程差距　臺廠須盡速導入40納米

　　臺灣國際半導體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕，在半導體趨勢論壇中，摩根士丹利證券執行董事王安亞針對未來DRAM市場發出警語，認為未來2Gb產品將成為DRAM市場主流，且未來以40納米制程生產的2Gb將最具競爭力，臺系DRAM廠，包括南亞科、華亞科等，必須盡快提升50納米制程的良率，且轉進40納米制程世代，才會具有成本競爭力。

　　三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發出供過于求的悲觀論調，使得全球DRAM產業大幅受挫，臺系DRAM廠商8日股價也以大跌回應。就三星目前46納米開始量產，且35納米制程年底前小量產出，2011年躍升為主流制程的進度來看，臺系DRAM廠的技術進度令人擔憂。

　　王安亞在半導體趨勢論壇中表示，三星仍存在持續擴大全球DRAM市場的企圖心，因此積極大量投資擴產，并提升制程技術，目的在于進一步拉大與競爭對手的差距，預計三星全球DRAM市占率突破40%門檻指日可待。

　　反觀臺系DRAM廠進度，南亞科和華亞科目前雖然50納米良率逐漸提升，且產能開始增加，但必須加快腳步轉進40納米制程世代，才有機會趕上這一波存儲器產業復蘇的尾聲。

　　而從DRAM價格來看，王安亞也對2011年的價格走勢看法保守，以過去10年的歷史經驗，平均每年下跌30%幅度，但2009年卻逆勢上漲4倍來看，預期接下來DRAM價格難逃跌勢，預計會下跌到2011年。