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        飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

        作者: 時間:2010-06-11 來源:電子產品世界 收藏

          飛兆半導體公司 ( Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V 器件,采用Power 56封裝,型號為 可以用作負載開關或ORing FET,為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性,可降低功耗和提高效率,以提升服務器中心的總體效率。 是首款采用 Power56 封裝以突破1 mOhm 障礙的器件,最大RDS(ON) 僅為0.99 mOhm,能夠減少傳導損耗,提高應用的總體效率。例如,與一個使用2.0 mOhm 的典型應用相比,這款30V MOSFET便能夠以一半的FET數目,提供相同的總體RDS(ON)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/109926.htm

          FDMS7650 采用飛兆半導體性能先進的 PowerTrench® MOSFET 技術,提供具突破性的RDS(ON) 。這項技術擁有出色的低 RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷 (QGD) ,能最大限度地減少傳導和開關損耗,從而帶來更高的效率。

          率先突破1mOhm最大RDS(ON)障礙提高服務器中心 (server farm) 的效率。

          這款功率MOSFET器件是飛兆半導體眾多 MOSFET 器件之一,為功率設計提供了卓越的優勢。這個系列的其它出色產品還有飛兆半導體的30V雙N溝道MOSFET器件 FDMC8200和FDMS9600,FDMC8200通常具有24 mOhm 的高側RDS(ON) ,以及9.5 mOhm的低側RDS(ON) ,有效提高了 DC-DC 應用的效率。FDMS9600 則通過降低高側 MOSFET 的開關損耗,以及低側 MOSFET的傳導損耗,為同步降壓應用提供最佳的功率級。

          價格(訂購1,000個,每個): 0.95美元

          供貨: 現提供樣品

          交貨期:收到訂單后15周



        關鍵詞: Fairchild MOSFET FDMS7650

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