三星正與臺積電聯手開發HBM4

9月9日消息，據《韓國經濟日報》報道，臺積電生態系統和聯盟管理負責人 Dan Kochpatcharin上周在 Semicon Taiwan 2024 論壇上表示，三星和臺積電正在聯手生產無緩沖高帶寬內存 （HBM）。

報道稱，三星與臺積電的合作將提供 英偉達（Nvidia）和谷歌（Google） 等客戶要求的“定制芯片和服務”。

與現有型號相比，無緩沖 HBM4 的能效將提高 40%，延遲可降低 10%。HBM 已被廣泛用于 AI 計算。

雖然在邏輯制程代工方面，三星是臺積電的競爭對手，但臺積電并不生產 DRAM。然而，在 AI 處理器協作中采用多晶粒封裝或者所謂的“Chiplet”小芯片先進封裝的情況正在增加，其中就包括HBM。

并且當HBM進入到新一代的HBM4時，會采用基于邏輯制程的基礎芯片，使得客戶可以加入自己的IP，以實現定制化，提升HBM的效率。而對于該邏輯制程的基礎芯片，三星和SK海力士都將允許客戶自行設計，并可選擇外部的邏輯制程晶圓代工廠來生產。

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消息人士也表示，雖然三星能夠提供全面的 HBM4 制造服務，包括內存生產、（邏輯制程基礎芯片）代工和先進封裝，但它希望利用臺積電的技術來獲得更多客戶。

此舉是三星可能將是試圖反擊競爭對手 SK 海力士的一個舉措，后者以 53% 的標價成為領先的 HBM 供應商，而三星只有 35%。

值得注意的是，SK 海力士、三星和美光都在推出 HBM3E DRAM，并計劃在 2025 年推出 HBM4 格式。SK 海力士最近宣布，它打算開發下一代HBM，性能將是當前產品的20-30倍，并可提供客戶定制的產品。

編輯：芯智訊-浪客劍