美光MRDIMM正式送樣：帶寬提升39%，延遲降低40%！

近日，DRAM大廠美光宣布，其多重存取雙列直插式內存模組 （multiplexed rank dual inline memory module， MRDIMM） 開始送樣，讓美光客戶得以滿足要求日益嚴苛的工作負載，充分發揮其計算基礎設施中獲得最大價值。

美光科技表示，針對內存需求高達每DIMM插槽128GB以上的應用，美光MRDIMM的性能優于目前的硅通孔型（TSV）RDIMM，達到最高帶寬、最大容量、最低延遲和更高的每瓦性能，從而加速內存密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI數據中心等的工作負載。當前開始送樣的內存產品是美光MRDIMM系列的第一代產品，可以與Intel Xeon 6處理器兼容。

MRDIMM 技術采用DDR5 的物理與電氣標準，帶來更先進的內存，每核心的帶寬與容量雙雙提升，為未來計算系統做好準備，更滿足數據中心工作負載日益成長的需求。與RDIMM相比，MRDIMM具有以下優勢，包括內存有效帶寬提升多達39%、總線效率提高15%以上、并且延遲降低高達40%。

MRDIMM支持從32GB到256GB的容量范圍，采用標準和高外形 （TFF），適用于高性能 1U 和 2U 服務器。TFF 模塊改進的散熱設計可在相同的功率和氣流下將 DRAM 溫度降低多達 20 攝氏度，在數據中心實現更高效的冷卻功能，并優化內存密集型工作負載的總系統任務能量。

美光采用 32Gb DRAM 芯片的行業領先的內存設計和工藝技術，使 256GB TFF MRDIMM 與使用 16Gb 芯片的 128GB TFF MRDIMM 具有相同的功率包絡。256GB TFF MRDIMM 在最大數據速率下比類似容量的 TSV RDIMM 性能提高了 35%。借助 256GB TFF MRDIMM，數據中心可以比 TSV RDIMM 帶來前所未有的 TCO 優勢。

美光計算產品事業部副總裁兼總經理Praveen Vaidyanathan表示：“美光最新的創新主內存解決方案MRDIMM以更低的延遲提供急需的帶寬和容量，以在下一代服務器平臺上擴展AI推理和HPC應用。MRDIMM顯著降低了每項任務的能耗，同時提供了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護性功能和接口，從而為客戶提供了可擴展性能的靈活解決方案。美光與行業緊密的合作確保了與現有服務器基礎設施的無縫集成，并順利過渡到未來的計算平臺?！?/p>

英特爾Xeon 6 副總裁兼數據中心產品管理總經理 Matt Langman 表示：“通過利用 DDR5 接口和技術，MRDIMM 可與現有的 Xeon 6 CPU 平臺無縫兼容，為客戶提供靈活性和選擇。MRDIMM為客戶提供了更高帶寬、更低延遲和容量點的全選項，適用于HPC、AI和大量工作負載，所有這些都在相同的Xeon 6 CPU平臺上，也支持標準DIMM。我們的客戶將受益于美光廣泛的 MRDIMM 產品組合，密度從 32GB 到 256GB，以及標準和高尺寸，這些產品將通過英特爾Xeon 6 平臺進行驗證。

“隨著處理器和 GPU 供應商為我們提供了成倍增加的內核，提供平衡系統性能所需的內存帶寬已經滯后。美光 MRDIMM 將有助于縮小內存密集型工作負載（如 AI 推理、AI 再訓練和無數高性能計算工作負載）的帶寬差距，“聯想副總裁兼 AI 和高性能計算總經理 Scott Tease 說?！拔覀兣c美光的合作比以往任何時候都更加緊密，專注于為我們共同的客戶提供平衡、高性能、可持續的技術解決方案。”

美光 MRDIMM 現已上市，并將于 2024 年下半年批量出貨。與同代 RDIMM 相比，后續幾代 MRDIMM 將繼續提供高達 45% 的每通道內存帶寬。

編輯：芯智訊-浪客劍