半導體存儲產業開啟“狂飆”模式？

經歷較長時間的行業下行周期后，2023年第四季度以來，存儲產業出現了較為明顯的回暖跡象。與此同時，隨著AI人工智能浪潮的推動，加上數據中心等應用對高端存儲需求的持續增加，全球存儲產業鏈復蘇態勢愈發強烈。

而近日，從SK海力士、鎧俠、三星、美光等廠商釋放的信號來看，存儲產業邁入上行周期的確定性進一步提升。

近期，SK海力士無論是在技術研發還是建廠投資方面，都釋出了利好消息。

技術研發方面，眾所周知，受益于人工智能熱潮推動，SK海力士在AI存儲器市場掌握著主導地位。SK海力士首席執行官郭魯正表示，由于HBM等高性能存儲器芯片的強勁需求，存儲器芯片市場還將維持一段時間的樂觀態勢，預計存儲器芯片市場將持續活躍到明年年初。

SK海力士認為，隨著人工智能市場的擴大，明年存儲器的需求將持續增長，并制定了積極應對的戰略。SK海力計劃在本季度向主要客戶供應12層HBM3E樣品并開始量產，并將在明年下半年推出與臺積電合作開發的12層HBM4。

除了全力發展HBM高帶寬內存市場外，SK海力士在顯存方面的發展也迎來新的進展。

7月30日，SK海力士宣布推出全球最高性能的新一代顯存產品GDDR7。與前一代產品相比，SK海力士GDDR7運行速度提高了60%以上，能效與前一代相比提升了50%以上。此外，SK海力士技術團隊通過采用封裝新技術，成功地將該產品的熱阻減少了74%。

圖片來源：SK海力士

SK海力士表示，GDDR7將于今年第三季度量產，將適用于圖形處理、人工智能、高性能計算、及自動駕駛等多種領域。

投資建廠發面，SK海力士將投資約9.4萬億韓元，龍仁半導體產業集群首個晶圓廠及事業設施。根據規劃，SK海力士將建設四座生產下一代半導體的先進晶圓廠，其中第一座晶圓廠計劃明年3月開工，2027年5月完工，將生產包括代表性AI存儲器HBM在內的下一代DRAM，并在工廠竣工后根據市場需求生產其他產品。

SK海力士龍仁半導體集群鳥瞰圖
圖片來源：SK海力士

此外，SK海力士還與美國商務部簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT）。基于美國《芯片和科學法案》，SK海力士就美國印第安納州半導體先進封裝工廠的投資，將獲得最高4.5億美元的直接補助和最高5億美元的貸款。與此同時，美國財政部決定為SK海力士提供在美國投資額最高可達25%的稅收抵免。

SK海力士此前宣布，將在美國印第安納州投資建設HBM先進封裝生產基地，總投資達38.7億美元，并創造約1,000個工作崗位。該工廠預計在2028年下半年開始量產新一代HBM等適于AI的存儲器產品。同時，SK海力士還將與普渡（Purdue）大學等當地研究機構攜手進行半導體研發。SK海力士表示，為了在印第安納州順利進行面向AI的存儲器量產，將如期進行工廠建設。

近日，NAND閃存大廠鎧俠公布了2024財年（4-6月，2024自然年二季度）第一財季營收報告。

數據顯示，當季鎧俠營收創歷史新高，達4,285億日元，同比大漲71%，環比增長106.4%；營業利潤1259億日元，環比增加187%；凈利潤也自去年同期的虧損1,031億日元轉為盈利698億日元，環比增長578%。

圖片來源：鎧俠

鎧俠表示，供需平衡改善，帶動NAND Flash平均售價持續上升，同時閃存市場需求復蘇也隨之推動NAND Flash產品出貨量增加，外加日元貶值等，是推動公司營收實現大幅增長的主要因素。

鎧俠指出，以日元計算，當季NAND Flash售價較上一財季（2024年1-3月）上漲20%左右，為連續第四個季度呈現上漲；NAND Flash出貨量也環比增長了10-14%。鎧俠表示，上季以美元計算的售價環比增長15%左右。

另外，鎧俠位于日本巖手縣北上市工廠Fab 2（K2）已于7月完工。而隨著市場需求的復蘇，鎧俠將在密切關注NAND閃存市場趨勢的同時逐步進行資本投資。并計劃于2025年秋季在K2開始運營。

鎧俠在新聞稿中強調，將致力于抓住NAND Flash閃存市場機遇，滿足對AI人工智能應用和數據中心日益增長的需求，并在合適的時機實施符合市場趨勢的資本投資。

據日經新聞報道，鎧俠K2工廠將用來增產人工智能AI用最先進存儲器。報道還稱，北上工廠將生產被稱為“第8代”的最先進存儲器，預計月產2.5萬片，除AI數據中心外，也將用于智能手機、PC、汽車等領域。

至于備受關注的IPO情況，有知情人士表示，鎧俠會在8月底提交正式申請，目標10月底上市，而為了趕上期限，鎧俠正以比一般IPO更快的速度進行準備，不過最終結果要視進度而定，不排除推延至12月。

據韓國媒體ETNews最新報道，三星電子內部已經確認在平澤P4工廠內建設1c納米制程DRAM產線的投資計劃，目標是預計在2025年的6月投入量產。

三星平澤P4是一座綜合性的半導體生產中心，分為四期計劃。在三星早前的規劃中，一期以生產NAND Flash閃存為主，二期為邏輯代工，三期及四期為DRAM內存。不過ETNews最新報道稱，當前，三星已在P4一期導入DRAM生產設備，但暫時擱置了二期建設。1c納米制程DRAM是第六代10納米級DRAM制程技術，報導指出，三星計劃在2024年底啟動1c納米制程技術的存儲器生產計劃。

另據韓媒消息，三星高管在2024年第2季度財報電話會議透露，第五代8層HBM3E產品目前已交付客戶評估，計劃2024年第3季度開始量產。

該高管還指出，已經完成了12層HBM3E芯片的量產準備，將在今年下半年根據多個客戶的要求計劃擴大供應。

據悉，三星HBM銷售額在第二季度環比增長了50%，預計在下半年將增長3-5倍，三星表示，HBM3E芯片在三星HBM中所占的份額預計將在第三季度超過10%，并有望在第四季度迅速擴大到60%。至于第六代HBM4，三星預計，有望從2025年下半年開始出貨。

事實上，在DRAM方面，8月6日，韓國存儲廠商三星電子宣布，已開始批量生產業界最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM內存，支持12GB和16GB容量。

圖片來源：三星

據官方介紹，三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強，適合端側AI在移動端的應用，LPDDR封裝采用12納米級工藝，四層堆疊架構，每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成，在提升Die密度的同時，減少厚度，提高耐熱性。與上一代產品相比，LPDDR5X DRAM厚度降低約9%，耐熱性能提升約21.2%。

圖片來源：三星

具體來看，通過采用更先進的印刷電路板(PCB)和環氧樹脂模塑料(EMC)工藝，新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm)，超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。同時，三星優化了背面研磨工藝，進一步壓縮了封裝厚度。

此外，通過提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動設備內有多余的空間，促進空氣流動，散熱控制能力也因此得到提升，三星表示，這一屬性對于像端側人工智能類具有復雜功能的高性能應用尤為關鍵。

7月31日，美光宣布量產其采用第九代（G9）TLC NAND技術的SSD產品已開始出貨，成為業界首家實現這一里程碑的廠商之一。適用于個人設備、邊緣服務器、企業和云數據中心。

據介紹，G9 NAND數據傳輸速率比當前SSD中的NAND技術要快50%。同時，與市場上現有的同類NAND解決方案相比，美光G9 NAND的每顆芯片寫入帶寬和讀取帶寬分別高出99%和88%。

圖片來源：美光

封裝方面，與前一代NAND產品相同，美光G9 NAND采用11.5mm x 13.5mm的緊湊封裝，比同類產品節省28%的空間。

據悉，采用了G9 NAND技術的美光2650 NVMe SSD理論性能水平接近PCIe 4.0，突破了高性價比TLC客戶端SSD的性能極限。連續讀取速率高達7000 MB/s。

與同類競品相比，美光2650 NVMe SSD表現出色，連續讀取性能提升高達70%，連續寫入性能提升高達103%，隨機讀取性能提升高達156%，隨機寫入性能提升高達85%。

而在此之前，7月底，美光還宣布推出全新的數據中心SSD產品9550 NVMe SSD。其順序讀取速率和順序寫入速率分別為14.0 GB/s和10.0 GB/s。

圖片來源：美光

美光表示，與業界同類SSD相比，其性能提升高達67%。此外，其隨機讀取速率達到3,300 KIOPS，比競品提升高達35%，隨機寫入速率達到400 KIOPS，比競品提升高達33%。

眾所周知，SK海力士、三星、美光和鎧俠是全球知名的存儲廠商，四家廠商在NAND Flash領域的市場份額合計達83%，而前三家廠商在DRAM領域的市占合計逾90%。

全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢此前的研報顯示，今年第一季度，全球DRAM產業營收較前一季度成長5.1%，達183.5億美元；NAND Flash產業也因市場量價齊揚，營收季增28.1%，達147.1億美元。

在市場需求提升，供需結構拉升價格，加上HBM等高附加值產品快速崛起的利好形式下，當前全球DRAM及NAND Flash存儲產業的發展可謂是一片利好。

而根據集邦咨詢的最新調研，2024年DRAM及NAND Flash產業營收有望分別達增加907億美元和674億美元，分別同比增長75%和77%。

集邦咨詢同時預測，2025年產業營收將持續維持成長，并創歷史新高。其中，DRAM產業營收將來到1,365億美元、年增51%，NAND Flash產業營收也將來到870億美元、年增29%。