EEPROM和FLASH的區(qū)別，單片機(jī)中為啥很少有EEPROM?
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今天就來圍繞EEPROM 和 FLASH展開描述，希望能解決你心中的疑惑。
ROM的發(fā)展
ROM：Read-Only Memory，只讀存儲器。
以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入信息，信息一旦寫入后就固定下來，即使切斷電源，信息也不會丟失，所以又稱為固定存儲器。
---來自百度百科
最早的ROM是不能編程的，出廠時(shí)其存儲內(nèi)容（數(shù)據(jù)）就已經(jīng)固定了，永遠(yuǎn)不能修改，也不靈活。
因?yàn)榇嬖谶@種弊端，后來出現(xiàn)了PROM（Programmable read-only memory，可編程只讀存儲器），可以自己寫入一次，要是寫錯(cuò)了，只能換一塊芯片。
因?yàn)橹荒軐懸淮危€是存在很多不方便，于是出現(xiàn)了EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可編程只讀存儲器），這種存儲器就可以多次擦除，但是這種可擦除的存儲是通過紫外線進(jìn)行擦除，擦除的時(shí)候也不是很方便。
引用一個(gè)比如：如果你往單片機(jī)下載一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)，然后才能再下一次，這么折騰一天也改不了幾次。
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦除可編程只讀存儲器）來了，解決了ROM過去歷史中存在一些問題。
早期的EEPROM:早期的EEPROM的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫入0或者1，現(xiàn)在基本以字節(jié)為單位了。早期的EEPROM具有較高的可靠性，但是電路更復(fù)雜，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，從幾KB到幾百KB不等。（有點(diǎn)類似前面說的因?yàn)楣に嚭椭圃斐杀镜脑颍琑AM的容量也不大）。如今的EEPROM支持連續(xù)多字節(jié)讀寫操作了，算是已經(jīng)發(fā)展到很先進(jìn)的水平了。至此，大家今天看到的EEPROM，基本都是發(fā)展得很成熟的EEPROM了。
Flash的發(fā)展
Flash，又叫Flash Memory，即平時(shí)所說的“閃存”。
Flash結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的功能，還可以快速讀取數(shù)據(jù)，具有NVRAM的優(yōu)勢（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性隨機(jī)訪問存儲器）。在過去，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設(shè)備，F(xiàn)lash的出現(xiàn)，全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤、固態(tài)硬盤）。
1.NOR Flash
Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲程序、操作系統(tǒng)等重要信息。2.NAND Flash1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的制作Flash的成本更廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flash以外，還做上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。3.比較相比于 NOR Flash，NAND Flash 寫入性能好，大容量下成本低。目前，絕大部分手機(jī)和平板等移動(dòng)設(shè)備中所使用的 eMMC 內(nèi)部的 Flash Memory 都屬于 NAND Flash。PC 中的固態(tài)硬盤中也是使用 NAND Flash。EEPROM和FLASH區(qū)別
現(xiàn)在的 EEPROM 和 FLASH 都屬于“可多次電擦除存儲器”，但他們二者之間還是有很大差異。
首先，他們最大差異就是：FLASH按塊/扇區(qū)進(jìn)行讀寫操作，EEPROM支持按字節(jié)讀寫操作。
其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，但EEPROM容量一般都很小。
再次，就是它們的應(yīng)用場景不同：EERPOM存儲零散小容量數(shù)據(jù)，比如：標(biāo)志位、一組數(shù)據(jù)等。FLASH存儲大容量數(shù)據(jù)，比如：程序代碼、圖片信息等。
再次，內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，F(xiàn)lash結(jié)構(gòu)更簡單，成本更低，類似前面和大家分享的《單片機(jī)中RAM少的原因》。
當(dāng)然，還有很多其他區(qū)別，但隨著技術(shù)的提升，它們二者已經(jīng)很接近了。以前它們不能滿足的功能，現(xiàn)在基本都能滿足了。
單片機(jī)中為啥很少有EEPROM?
通過上面的描述，相信大家基本都能明白，為什么單片機(jī)中很少有EEPROM了。
下面簡單總結(jié)以下幾點(diǎn)原因：
1.Flash容量更大，儲存數(shù)據(jù)更多；
2.Flash速度更快，特別是讀取速度；
3.同等容量，F(xiàn)lash成本更低；
4.Falsh體積更小，在單片機(jī)有限的空間Flash優(yōu)勢更明顯；
5.隨著RAM增加、CPU處理速度增快，能用Flash“模擬”EERPOM；
6.···
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