華為硬件技術工程師面試機考試題及答案

華為硬件技術工程師面試機考試題及答案

一、是非題 [8x4]

1、（ ）DRAM 上電時存儲單元的內容是全0，而 Flash 上電時存儲單元的內容是全1。

2、（ ）眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動、噪聲和衰減。

3、（ ）以太網交換機將沖突域限制在每個端口，提高了網絡性能。

4、（ ）放大電路的輸出信號產生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。

5、（ ）1 的 8 位二進制補碼是 0000_0001,-1的 8 位二進制補碼是 1111_1111 。

6、（ ）洗衣機，電冰箱等家用電器都使用三孔插座， 是因為如果不接地， 家用電器是不能工作的。

7、（ ）十進制數據 0x5a 與 0xa5 的同或運算結果為： 0x00。

8、（ ）硅二極管的正向導通壓降比鍺二極管的大。

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二、單選題 [17x4]

1、一空氣平行板電容器， 兩級間距為 d，充電后板間電壓為 u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為 d/3 的金屬板。 此時電容器原板間電壓變為

A.U/3 B.2U/3 C.3U/4 D.不變

2、8086CPU 內部包括哪些單元

A.ALU,EU B.ALU,BIU C.EU,BIU D.ALU,EU,BIU

3、為了避免 50Hz 的電網電壓干擾放大器，應該用那種濾波器：

A.帶阻濾波器 B.帶通濾波器 C.低通濾波器 D.高通濾波器

4、關于 SRAM 和 DRAM，下面說話正確的是：

A.SRAM 需要定時刷新，否則數據會丟失；

B.DRAM 使用內部電容來保存信息；

C.SRAM的集成度高于 DRAM；

D.只要不掉電， DRAM 內的數據不會丟失；

5、在 RS232串口中， 采用哪一種校驗方式：

A.CRC校驗 B.海明碼校驗 C.多種校驗方式的組合 D.奇偶校驗

6、對于 D 觸發器來說， 為了保證可靠的采樣， 數據必須在時鐘信號的上升沿到來之前繼續穩定一段時間，這個時間稱為

A.保持時間 B.恢復時間 C.穩定時間 D.建立時間

7、本征半導體中加入（）元素可形成N 型半導體

A.五價 B.四價 C.三價 D.二價

8、模擬信號數字化的過程是

A.采樣 ->量化 ->編碼 B.采樣 ->編碼 ->量化

C.編碼 ->采樣 ->量化 D.量化 ->編碼 ->采樣

9、在 Buck 電路中，不能起到減小紋波作用的措施是

A.采用多項并聯的模式；

B.開關管內置，提高電源的開關頻率；

C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容；

D.增大輸出濾波電感量。

10、圖示電路中 a、 b 端的等效電阻 Rab在開關 K 打開與閉合時分別為：

A.10 Ω， 8Ω B.8 Ω， 10Ω C.10 Ω， 10Ω D.10 Ω， 16Ω

11、關于 PCI總線的描述，錯誤的是

A.PCI 總線是一個 16 位寬的總線；

B.PCI的地址線與數據線是復用的；

C.PCI 是一種獨立于處理器的總線標準，可以支持多種處理器；

D.PCI支持即插即用功能總線寬度為 32/64 位。

12、中繼器、以太網交換機、路由器分別工作在 OSI模型的哪位層次上：

A.物理層、鏈路層、網絡層 B.物理層、網絡層、鏈路層

C.物理層、鏈路層、傳輸層 D.鏈路層、鏈路層、網絡層

13、某電路，對100KHz 以下低頻信號干擾敏感，為減少干擾，應采用（）濾波器。

A.高通 B.低通 C.帶阻 D.帶通

14、捕捉毛刺用最佳觸發方式（）進行觸發

A.Width B.Edge C.Glitch D.State

15、以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試：

A.信號占空比超標 B.信號上升緩慢

C.6 個信號的異常組合 D.信號抖動過大

16、8421 碼 10010111 表示的十進制數是：

A.98 B.151 C.97 D.227

17、晶體管能夠放大的外部條件是：

A.****結反偏，集電結正偏 B.****結正偏，集電結正偏

C.****結反偏，集電結反偏 D.****結正偏，集電結反偏

答案與解析

一、是非題 [8x4]

1、（N）【解析】FLASH可保存

2、（N）

3、（Y）

4、（N）

5、（Y）

6、（N）

7、（Y）

8、（Y）

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二、單選題 [17x4]

1、B.2U/3

【解析】

電容的大小不是由Q（帶電量）或 U（電壓）決定的，即：C=εS/4πkd。（ε是一個常數， S 為電容極板的正對面積， d 為電容極板的距離， k 則是靜電力常量。）而常見的平行板電容器電容為 C=εS/d. （ε為極板間介質的介電常數，S為極板面積， d 為極板間的距離。）電容器的電勢能計算公式：E=CU^2/2=QU/2。

2、C.EU,BIU

【解析】

80x86 從功能上分執行單元EU(Execution Unit) 和總線接口單元 BIU(Bus InteRFace Unit) ，執行單元由 8 個 16 位通用寄存器， 1 個 16 位標志寄存器， 1 個 16 位暫存寄存器， 1 個 16 位算術邏輯單元 ALU及 EU控制電路組成。總線接口單元由 4 個 16 位段寄存器（ CS,DS,SS,ES） ，1 個 16 位的指令指針寄存器， 1 個與 EU通信的內部暫存器， 1 個指令隊列， 1 個計算 20 位物理地址的加法器∑及總線控制電路構成。

3、A.帶阻濾波器

4、B.DRAM 使用內部電容來保存信息

【解析】

SRAM和 DRAM都是隨機存儲器，機器掉電后，兩者的信息都將丟失。它們的最大區別就是：DRAM是用電容有無電荷來表示信息 0 和 1，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給電容充電，即刷新；而 SRAM是利用觸發器的兩個穩態來表示信息 0 和 1， 所以不需要刷新。 另外， SRAM的存取速度比 DRAM更高，常用作高速緩沖存儲器Cache。

5、D.奇偶校驗

6、D.建立時間

【解析】

setup/hold time 是測試芯片對輸入信號和時鐘信號之間的時間要求 . 建立時間是指觸發器的時鐘信號上升沿到來以前數據穩定不變的時間輸入信號應提前時鐘上升沿 ( 如上升沿有效 )T 時間到達芯片 這 個 T 就 是 建 立 時 間 -Setup time. 如不 滿 足setup time, 這個數據就不能被這一時鐘打入觸發器只有在下一個時鐘上升沿數據才能被打入觸發器保持時間是指觸發器的時鐘信號上升沿到來以后數據穩定不變的時間如果 hold time 不夠數據同樣不能被打入觸發器建立時間 (Setup Time) 和保持時間 (Hold time).建立時間是指在時鐘邊沿前數據信號需要保持不變的時間保持時間是指時鐘跳變邊沿后數據。

7、本征半導體中加入（）元素可形成N 型半導體

A.五價

8、A.采樣 ->量化 ->編碼

9、C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容

10、C.10 Ω， 10Ω

11、A.PCI 總線是一個 16 位寬的總線

12、C.物理層、鏈路層、傳輸層

【解析】

物理層 : 將數據轉換為可通過物理介質傳送的電子信號 相當于郵局中的搬運工人

鏈路層 : 決定訪問網絡介質的方式在此層將數據分幀，并處理流控制。本層 指定拓撲結構并提供硬件尋 址。相當于郵局中的裝拆箱工人

網絡層 : 使用權數據路由經過大型網絡 相當于郵局中的排序工人傳輸層 : 提供終端到終端的可靠連接 相當于公司中跑郵局的送信職員

會話層 : 允許用戶使用簡單易記的名稱建立連接相當于公司中收寄信、寫信封與拆信封的秘書

表示層 : 協商數據交換格式 相當公司中簡報老板、替老板寫信的助理

應用層 : 用戶的應用程序和網絡之間的接口老板

13、A.高通

14、C.Glitch

15、A.信號占空比超標

16、C.97

17、D.****結正偏，集電結反偏