日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。日前發布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC?2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB
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Vishay SiC肖特基二極管 開關電源
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用10 mm x 10 mm 4040封裝的第二代新型汽車級器件---IHLE-4040DDEW-5A，擴充IHLE?系列超薄、大電流集成式電場屏蔽電感器。與上一代解決方案相比，Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改進的屏蔽設計，極性標識提高EMI性能的一致性，不需要單獨板級法拉第（Faraday）屏蔽，從而降低成本，節省電路板空間。與傳統復合傳感器相比，日前發布的器件采用銅鍍錫集成式屏蔽罩遏制EMI
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Vishay 集成式 EMI屏蔽 4040封裝 汽車級 IHLE 電感器
致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商—大聯大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP1239BD65R2G PWM控制器的30W反激式輔助電源方案。圖示1—大聯大世平基于onsemi、Vishay和Toshiba產品的30W反激式輔助電源方案的展示板圖在信息技術時代，人們對于高效、穩定且具備出色節能特性的輔助電源需求日益增加。特別是在服務器、PC、新能源轉換系統以及工業制造等關鍵領域，一款性能卓越的輔助電源不僅關乎設備的穩定運行，更是節能減排、綠色發展的重要保障。在此背景下，
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大聯大世平 onsemi Vishay Toshiba 反激式輔助電源
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其AC和AC-AT系列軸向水泥繞線電阻5 W器件新增便于拾放加工的表面貼裝（SMD）引腳折彎選件——AC05 WSZ、AC05-AT WSZ和AC05-NI WSZ，即可用作表面貼裝組件的WSZ引線型器件。Vishay Draloric AC05 WSZ 和經過AEC-Q200認證的AC05-AT WSZ電阻具有出色的抗脈沖性能，無感型AC05-NI WSZ器件適用于快速開關電路。WSZ引線型電阻可與其他表貼裝器件一起貼在PCB上
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Vishay 軸向水泥繞線電阻 抗脈沖
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型25 MBd高速光耦---VOIH72A，器件配有CMOS邏輯電路數字輸入輸出接口，便于數字系統集成。單通道VOIH72A適于各種工業應用，脈寬失真最大值低至6 ns，最大供電電流僅為2 mA，電壓范圍2.7 V至5.5 V，工作溫度高達+110 °C。日前發布的Vishay?Semiconductors器件將數控輸入LED驅動器與高速紅外發射器（IRED）、集成式光敏二極管IC檢測器結合在小型SOIC-8封裝中
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Vishay 光耦
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列用于電力轉換的新型低廓形、航天級平面變壓器---SGTPL-2516系列。與傳統的平面變壓器相比，可定制的Vishay Custom Magnetics SGTPL-2516系列變壓器成本更低、體積更小、功率密度更高，具有明顯優勢，并符合MIL-STD-981 S級要求。該變壓器具有通孔端子和多種封裝尺寸，廣泛應用于開關模式電源以及DC/DC和AC/DC轉換器。這些變壓器專為惡劣環境而設計，采用具有模制繞組的堅固封裝設計
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Vishay 航天級 平面變壓器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型汽車級IHDF邊繞通孔電感器---IHDF-1300AE-1A，額定電流 72A，飽和電流高達 230A。Vishay Custom Magnetics IHDF-1300AE-1A采用鐵氧體磁芯技術，厚度僅為15.4?mm，可在-55 °C至+155 °C?惡劣溫度條件下工作，交流和直流功耗低，具有優異的散熱性能。這款器件邊繞線圈的直流內阻（DCR）低至1.1mΩ，極大限度減少損耗，有助于改善額定
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Vishay IHDF 邊繞電感器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小型MiniLED封裝的新型藍色和純綠色表面貼裝LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸為2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先進的超亮InGaN芯片技術，典型發光強度分別達到440 mcd和2300 mcd，比上一代PLCC-2封裝解決方案提高四倍。
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Vishay MiniLED LED
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款內置旋鈕開關---P16F和PA16F，IP67密封的新型面板電位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F電位器介電強度高達5000 VAC，+40 °C下額定功率為1 W，可用來簡化工業和音頻應用設計并優化成本。日前發布的器件在一個組件中集成了旋鈕和面板電位器，無需采購組裝單獨的旋鈕。此外，只有安裝硬件和端子位于面板背面，微型電位器面板背面所需間隙小于15 mm。PA16F采用導電塑料電阻芯，適用于音頻應
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Vishay 旋鈕電位器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數量并簡化設計。日前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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Vishay MOSFET 對稱雙通道
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出適于IrDA?應用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外（IR）收發器模塊，鏈路距離延長20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2?kbit/s 數據速率（SIR），鏈路距離為1米，適用于能量表和監控器、工業自動化控制、手機和醫療設備無線通信和數據傳輸。為提高便攜式設備電池使用壽命，模塊降低了功耗，閑置供電電流 < 70 μA，關斷模式 < 1 μA。Vishay Semicondu
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Vishay 紅外收發器模塊 抗ESD
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，可提高汽車和工業應用有源充放電電路的性能。日前發布的器件R25阻值為60 W至1 kW，500 W 最大額定直流電壓高達1000 VDC，1 kW 達1200 VDC，最大能量吸收能力達240 J，比競品器件高四倍。多個熱敏電阻并聯，能量吸收
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Vishay 浪涌限流 PTC熱敏電阻 有源充放電
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。日前發布的半橋器件使用節
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Vishay INT-A-PAK IGBT功率模塊
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導
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Vishay 源極倒裝技術 PowerPAK 功率MOSFET
vishay介紹
威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創新和不斷的并購, 迅速發展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產品被廣泛地應用于工業、計算機 [
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