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中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國(guó)和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì)，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國(guó)際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體開辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長(zhǎng)黃鳴出席論
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Diodes公司推出微型車用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車用規(guī)范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域，可在直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應(yīng)用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時(shí)的 RDS(ON) 標(biāo)
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針對(duì)高耐用性和可靠性電源需求，意法半導(dǎo)體推出市場(chǎng)上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器

中國(guó)，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無(wú)需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無(wú)源元件，即可實(shí)現(xiàn)類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護(hù)功能，MOSFET包含一個(gè)用于過(guò)溫保護(hù)的senseFET引腳。單片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓?fù)洌ㄔ吇蚋?/li>
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SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過(guò)，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競(jìng)爭(zhēng)
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華為強(qiáng)力掃貨　手機(jī)、服務(wù)器用MOSFET急單聲聲催

中美貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒，華為禁令事件已經(jīng)讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應(yīng)鏈緊急備貨，熟悉功率元件業(yè)者透露，除了鞏固華為海思晶圓代工、封測(cè)代工供應(yīng)鏈以及臺(tái)系邏輯IC供應(yīng)體系外，瘋狂掃貨力道已經(jīng)蔓延到功率基礎(chǔ)元件金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國(guó) 慕尼黑）　　摘要：通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。　　關(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
關(guān)鍵字： 201905 IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器耐受性隔離

工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間，有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單......
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SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型，產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機(jī)型。　　ROHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
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安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級(jí)和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長(zhǎng)的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長(zhǎng)的應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢(shì)

　　2019年3月19日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級(jí)NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級(jí)NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢(shì)帶到重要的高增長(zhǎng)終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)、太陽(yáng)能、不間斷電源及服務(wù)器電源。　　這標(biāo)志著安森美半導(dǎo)體壯大其全面且不斷成長(zhǎng)的SiC 生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅(qū)動(dòng)器等互補(bǔ)器件，以及
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600V 超級(jí)結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調(diào)節(jié)能

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間(trr※1))的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。　　此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨(dú)有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)。與IGBT相比，輕負(fù)載時(shí)的功耗成功減少了58%左右。另外，通過(guò)提高導(dǎo)通MOSFET所需要的電壓水
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Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度

　　Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應(yīng)用特定標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域，包括獨(dú)立、邏輯、模擬及混合訊號(hào)半導(dǎo)體市場(chǎng)。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達(dá) 100V 與 3A 的應(yīng)用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負(fù)載開關(guān)電路，提供更高的功率密度設(shè)計(jì)。　
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Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019

　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國(guó)際應(yīng)用電力電子展會(huì)(APEC)上展示其強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺(tái)，將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)。　　在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
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滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

　　世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通。　　主要應(yīng)用　　w高效服務(wù)器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組　　w光伏逆變器 w工業(yè)電機(jī) w智能電網(wǎng) w航空航天　　SiC MOSFET系列　　產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
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碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
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Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓，來(lái)滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源。　　SIC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
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