- NAND Flash經歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產品現貨價跌破4美元心理關卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應在營收表現上。
模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
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蘋果 DRAM NAND
- 美國硅谷一家公司19日宣布開發出一種新技術，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。
這家名為“統一半導體”的公司發布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。
NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數碼產品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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存儲器 NAND 閃存
- 全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。
據道瓊斯新聞網報道，三星電子公司半導體業務總裁權五鉉當天對投資者說，很難預測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業壓縮信息技術產品開支以及消費者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機市場需求正在持續萎縮。
不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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三星 NAND 存儲芯片
- 恒憶半導體(Numonyx)、群聯電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發協議，三方將按照JEDEC新發布的JEDEC eMMC™ 4.4產業標準，為下一代managed-NAND解決方案開發閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統級性能。
根據這項協議，恒憶、群聯電子和海力士將利用各自的技術，開發能夠支持各種NAND閃存
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Numonyx NAND 閃存控制器
- 《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發布的財報可以看出，內存芯片行業似乎已經觸底，這對整個半導體行業來說是一個積極的信號。
雖然內存芯片行業收入只占全球半導體行業2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業中的日用商品，很難與其他芯片部門區分開來，因此是芯片行業整體表現的主要指標。內存行業下滑開始于2007年初，隨后芯片行業在2008年就開始了全面衰退。
上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
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海力士 NAND 內存
- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼
在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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NAND 存儲芯片
- TDK公司日前宣布開發出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
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TDK NAND
- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。
圖4所示為iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
- 針對NAND閃存產業，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。
集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產能，同時制程持續轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯盟的產能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。
集邦科技表示，市場占有率第三和第
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海力士 NAND 晶圓
- 4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發蘋果可能推出新一代iPhone的聯想
韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。”
部分分析師認為，蘋果這次大規模訂單，將刺激韓國芯片廠商業績，同時，也有助于全球芯片產業早日復蘇。
分析師還指出，N
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三星 NAND 芯片
- IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數據中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。
這并非危言聳聽，過去的解決方案現在已經顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業只需在數據中心添加更多的傳統硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F在，Geoff Burr在2008年發表的一
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IBM NAND 固態存儲
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻?/li>
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FSI NAND 存儲器
- 全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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FSI 半導體 NAND
- 3月21日消息，內存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求，因為這種新的操作系統為利用固態硬盤進行了優化。在當前的市場不確定的情況下，優化固態硬盤以便適應Windows 7已經成為固態硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
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閃存 NAND 芯片
- 集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現上揚，現貨價格方面卻已經開始下跌；然而，目前現貨市場仍處于多空未明狀態，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿然搶進。
集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%，SLC合約價則維持平盤，價格上漲的主要原因是今年首季國際大
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集邦 NAND Flash
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