- NAND閃存在半導體市場上的成功主要得益于手機和平板電腦市場的持續迅猛發展以及高性能固態硬盤(SSDs)取代硬盤驅動器的廣泛應用。美光與英特爾去年共同宣布,通過20 nm制造工藝技術結合突破性的單元架構概念,可以制造出僅由一組簡單芯片組成的TB容量NAND閃存。
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美光 英特爾 NAND閃存 UBM
- Intel同意與美光科技擴大就閃存芯片領域的合資企業合作,提高雙方關系的效率和靈活性。根據雙方達成的協議,美光將為Intel供貨NAND閃存產品,而Intel則將向美光出售價值6億美元的兩家合資晶圓廠股份。
協議規定,Intel將首先接收美光一半的股份購買資金,另外一半將寄放在美光,可能會按照供貨協議退還或用于未來采購。該協議還擴大了雙方在NAND閃存共同開發項目上的合作計劃,以覆蓋新興存儲技術。
該交易預計將在今年上半年完成。
Intel和美光已經在NAND閃存芯片制造領域合作了幾
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Intel NAND閃存
- 據國外媒體報道,根據亞洲最大芯片現貨市場的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)提供的最新數據,2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規模達到48.9億美元,環比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達到了34.6%。
集邦科技提供的數據顯示,NAND閃存出貨環比增長了大約5%,而平均銷售價格則環比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。
集邦科技指出,
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三星電子 NAND閃存
- 由于22nm NAND閃存工藝已經非常成熟,加上硬磁盤缺貨危機尚未緩解,感恩節促銷季才過不到兩個月,各大SSD廠商再次瘋狂促銷SSD,意圖讓更多消費者嘗試SSD,體驗SSD操作無延遲感的優勢。
主流品牌SSD最近均有20%以上的折扣或返款促銷,折后價格接近或低于1美元/GB。比如,intel 320 80GB返款后80美金,OCZ 120GB返款后100美金等。
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SSD NAND閃存
- 集成芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達克代碼:MRVL)今日宣布推出Marvell? 88NV9145。該器件是全世界第一款模塊化可擴展的Native PCIe SSD控制器,并已開始批量生產。88NV9145控制器作為PCIe SSD的核心部件,可以為客戶在容量以及性能上逐步擴容提供靈活的配置。
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Marvell NAND閃存 88NV9145
- 投資公司Bernstein Research今天公布一份報告,談及蘋果采購NAND閃存的情況。蘋果iPhone 4S有16GB版本和32GB版本,二者的差別就在于NAND閃存容量不同,32GB版本高100美元。不過根據Bernstein Research的研究發現,蘋果在采購NAND閃存時有很大的折扣,每GB只有0.67美元,16GB相當于10.72美元。
由此看來,蘋果的利潤戰略相當成功。讓分析師奇怪的是蘋果戰略如此成功,為什么競爭者不仿效。
報告中寫道:“2011年4季度,
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蘋果 NAND閃存
- 日前,英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進入量產;128GB NAND閃存預計于2012年進行量產。
20納米制程之128GB NAND Flash由英特爾與美光合資成立之IMFT所發展出來。該128GB NAND Flash為多層(multilevel)單元,英特爾與美光并未透露一個單元含有多少位(bit)。128GB NAND
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IMFT NAND閃存
- 日前消息稱,三星計劃投資約35億美元,在中國開辦芯片工廠,并于2013年投入營運。據該公司一份監管檔中表示,工廠將采用先進的20納米技術,生產NAND閃存芯片,但并未透露該座新工廠的地址和具體投資金額。
如果建廠計劃獲得中國官方批準,該工廠將是三星繼美國德州奧斯汀之后的第2座海外芯片制造工廠,三星還計劃在中國建立平板顯示屏幕生產基地。
韓國新韓投資公司分析師金永燦預計,三星將為中國新廠投資4兆韓元(約合35億美元)至5兆韓元。
三星表示,已經就在外國投建生產基地向韓國政府提交申請,后
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三星 NAND閃存
- 來自SemiAccurate網站的消息稱,三星已經研發并制造出容量達到8Gb的相變內存顆粒,采用移動設備中常用的LPDDR2界面,此前制造的1Gb相變內存顆粒樣品容量一般只有1Gb,是它的1/8。
新的內存顆粒最大的亮點是采用目前存儲芯片最先進的20nm制程工藝打造,幾乎達到了包括相變內存在內的所有DDR內存以及NAND閃存的極限。
相變內存結合了DDR與NAND閃存的特點,具有斷電不掉數據,耐久性好,速度快等優點;根據內存制造材料的每個晶胞在晶態/非晶態之間來回轉換來存儲數據。
預
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三星 NAND閃存 內存
- 市場上有關蘋果打算把其ARM-basediPad處理器的代工廠三星給拉下,或至少在下一代處理器A6把三星給換掉的傳言滿天飛。臺積電是呼聲甚高的替代人選。但除此之外,最近開始切入代工業務的英特爾,也成為被討論的對象之一。
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蘋果 NAND閃存
- 盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉移,但按閃存業者的看法,只有將這些高級制程投入量產使用才較有實際意義。NAND閃存產品向更高級制程節點轉移時,所需的產品驗證時間越來越長,便是這一看法的明證之一。
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- 英特爾官員日前表示,英特爾和美光聯手在新加坡投資30億美元興建的NAND閃存廠周四開始投產。
之前由于爆發全球性金融危機,加上內存產品價格低迷,英特爾和美光剛開始就推遲了興建這座工廠的計劃,不過雙方于2010年又把這項計劃重新提上日程。雙方表示,由于進展順利,工廠提前完工?!?/li>
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英特爾 NAND閃存
- 東芝于本周二發布了24納米工藝SmartNAND系列閃存。而這一產品很有可能將應用于蘋果iPhone5中。單條Sm...
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iPhone5 24納米 NAND閃存
- Elpida和Spansion發明一種電荷俘獲型閃存,為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術在Elpida的廣島廠進行量產。
按公司的說法,與通常的浮柵NAND閃存相比,電荷俘獲型NAND在更簡單的單元結構下可以作到尺寸更小,同時功能更強,讀出速度更快及可編程速度更快。
Elpida計劃把NAND閃存與移動RAM結合一起銷售移動消費類產品。除此之外,Spansion正開發用于嵌入式及選擇無線市場的NAND,以及繼
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Elpida NAND閃存
- 東芝公司宣布,即日起開始使用24nm工藝批量生產NAND閃存芯片,這也是該領域內迄今為止最為先進的制造技術。
東芝透露,24nm工藝已被用于生產世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLC NAND閃存芯片,單顆容量64Gb(8GB),今后還會使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規格的閃存芯片。
東芝表示,新工藝將進一步減小芯片尺寸、提高生產效率,同時還支持Toggle DDR接口規范,有助于增強數據傳輸速度。
在此之前,Intel、美光合資的IM Fl
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東芝 NAND閃存 24nm
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