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- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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Linear MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側電流檢測 DC/DC 轉換器 LT3755，該器件為驅動大電流 LED而設計。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應用，如汽車、工業和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET，可以用標稱 12V 的輸入驅動多達 14 個 1A 的白光 LED，提供超過 50W 的功率。該器件具高壓側電流檢測，能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓撲中。LT3755 在升壓模
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凌力爾特 轉換器 高壓側電流檢測 LED MOSFET
- Maxim推出內置MOSFET開關的8串白光LED (WLED)驅動器MAX17061。器件采用內部開關型電流模式升壓控制器驅動LED陣列，最多可驅動8串并聯的LED (每串可連接10個LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個電流源驅動，各串之間的電流均衡精度可達±1.5%。另外，MAX17061還提供一路DPWM信號，用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號可通過PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時進行控制。DPWM信號的頻率由外部電阻設置，進一步增加
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Maxim MOSFET WLED 驅動器
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展成為蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態高壓現象。且封裝很簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數汽車的標配，在設計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發展壯大。
今天的汽車電子系統已開創了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車
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汽車電子 MOSFET 溝道型 功率 解決方案
- 對于主板設計師來說，要設計處理器電壓調節模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續追隨摩爾(Moore)定律。
在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發展成驅動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時，電流切換速率要求也有相當大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
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MOSFET VRM 英特爾 低功耗 芯片 PWB
- 2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實現業界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標準*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設備發射器的功率放大器。
這兩種產品可以放大轉換為高頻的音頻信號，以發射規定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。
這兩種產品具有以下特點。
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瑞薩科技 MOSFET 無線設備 發射器 功率放大器
- 環境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經使全球有識之士認識到節能減排提高能效是未來科學技術活動一項長期的任務。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰！”如何應對這項挑戰？各個半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調發布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
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英飛凌 半導體 OptiMOS MOSFET 導通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝 電源管理
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (
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IR 同步降壓 轉換器 MOSFET
- Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅動MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實現更高的效率、更少的發熱量，縮小電源尺寸和重量，同時簡化整體電路設計。
ZXGD3101?有“零點檢測器驅動器”之稱，能準確檢測達到零點
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Zetex 捷特科 MOSFET 整流器 控制器
- ??????? 2008年5月27日，國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器
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國際整流器 同步降壓轉換器 MOSFET
- 車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達，許多組件的多元應用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發生故障，降低電子系統所造成損害。
另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現了車上的組件出現故障狀況，將導致汽車上的電路系統發生短路，或電源無法供電。在遠程傳感器中采用車用金屬氧化半導體場效晶體管（Metal
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MOSFET 安全系統
- MOSFET的開關軌跡線是判斷MOSFET開關過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關電源的性...
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MOSFET 損耗 開關 動態 截至 飽和
- Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。
Intersil 公司此次推出的新型驅動器增加了柵極驅動電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅動電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時間。這將最大限度地降低開關損耗并改善效率，尤其是在每相并聯功率MOSFET 的
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Intersil MOSFET 驅動器 柵極驅動電流
- 大功率線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統中，其寬頻帶、大功率的產生技術是無線電子通訊系統中的一項非常關鍵的技術。隨著現代無線通訊技術的發展，寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態線性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。
通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
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放大器 寬帶射頻 MOSFET
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