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飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
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Fairchild MOSFET FDMS7650
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業應用的設計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結MOSFET系列產品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導體的600V SuperFET&trade
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Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
在美國，工業應用領域AC電機所用的電能占全國的2/3以上。在許多應用中，AC電機或被關斷或以全速運作，而通過為電機添加變速控制功能，就能夠在標準開啟/關斷控制下實現顯著節能。用混合信號FPGA來實現高效率AC電機控制系統，可大幅降低電機的功耗。
電機無處不在
今天，電機用于各類應用中，然而，很少有人意識到電機在使用中對環境帶來怎樣的影響。專家估計，在美國，電機所消耗的電能約占總發電量的50%。從全球范圍看，AC電機功耗占工業應用的70%，占商業應用電能的45%，占住宅應用電能的42%。
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FPGA PWM MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。
這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術，并且通過非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。
IR亞洲區銷售副總裁
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IR MOSFET UPS 溝道
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench® 工藝 技術，為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來業界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過降低損耗，FDZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
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Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
D類放大器的應用范圍非常廣泛，隨著技術的成熟，目前已進入大規模普及階段。針對其在器件成本、EMI等方面的問題，業內企業也提出了多種解決方案。
D類放大器技術是三四年前被業內熱議的新技術，目前它已進入大規模普及階段。業界正在積極解決應用普及過程中的問題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時，集成技術也是一個不容忽視的趨勢。
轉入大規模普及階段
三四年前，D類放大器在業界掀起了一個新技術的小高潮。D類放大器采用脈沖調制方式將輸入信號轉換為數字脈沖，由MOSFET進行放大，再通過低
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ADI D類放大器 MOSFET EMI
上網本是筆記本電腦的派生產品，目前上網本的功率需求與筆記本電腦相似。由于需要使用多單元鋰離子電池，因而需要具有寬輸入電壓范圍的降壓轉換器來驅動內核、存儲器、外設或通用系統組件。另外也可選擇使用低壓降(LDO)調節器。
大多數MID和智能手機使用各種功率管理單元(PMU)來實現功率管理，而這源于它們的低功耗需求。過去一年來，上網本市場經歷了前所未有的增長，供應商正在積極開發用于上網本的集成式電源解決方案，2008年大多數上網本電腦電源采用了分立式解決方案，然而今年我們預計將轉向包含有控制器+MOS
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上網本 PMU MOSFET
上網本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲器供電。MPS針對上網本對電源小型化和輕載高效的要求，發展了擁有自主知識產權的一系列電路控制策略、半導體集成工藝以及封裝技術。
MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅動和MOSFET完全集成在一個芯片中。和大多數競爭對手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個硅片上，這極大地降低了傳統分立元件所帶來的寄生參數影響，從而提高變換器的效率和開關頻率，減小電容
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MPS 電源管理 MOSFET 上網本
英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續第六年穩居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%。現在，英飛凌在該市場上占據了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區以及美洲，英飛凌也繼續獨占鰲頭，分別占據了22.8%和11.2%的市場份額。
隨著汽車、消費和工
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英飛凌 IGBT MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源 (SMPS) 、不斷電系統 (UPS)、反相器和DC馬達驅動器等工業應用提供極低的閘電荷 (Qg)。
與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉換應用技術的日
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IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達驅動器
Diodes 公司進一步擴展其多元化的MOSFET 產品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應用的新型器件。新器件采用業界標準的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關功能，可滿足高效CCFL驅動器架構的要求。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節省更多的空間。對于需要一對互補器件的全橋和半橋拓撲，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
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Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驅動器
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))，并且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導
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IR MOSFET DirectFET
飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網本、醫療和其它便攜式應用的設計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠實現更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
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Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務報告。
意法半導體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動平臺的全部業務，和1800萬美元的技術授權費。凈收入環比增幅20%，反映了意法半導體所在的所有市場以及全部地區的需求回暖，特別是中國和亞太地區的需求增長強勁。因為商業大環境的原因，在所有市場以及各地區第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場和亞太地區的表現則例外。
總裁兼首席執行官 Car
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ST MOSFET MEMS GPS 無線寬帶
通用測試
電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。
這類測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學的研究實驗室和半導體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產品和良率增強工程師也是極其重要的，
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吉時利 C-V測試 半導體 MOSFET MOSCAP
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