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        super junction mosfet 文章 最新資訊

        飛兆與英飛凌簽署汽車級封裝工藝許可協(xié)議

        • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  飛兆  MOSFET  

        可編程大電流熱插拔控制

        • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板,不會中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài),并且同時啟動添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時,保護(hù)MOSFET器件。
        • 關(guān)鍵字: 熱插拔  MOSFET  

        MOSFET門極驅(qū)動電壓的優(yōu)化

        • 在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  門極驅(qū)動  電壓優(yōu)化  

        電源測試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

        • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標(biāo),MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性能、...
        • 關(guān)鍵字: TDS3000  示波器  MOSFET  

        2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場將達(dá)30億美元

        •   據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IMS Research的最新報告顯示,2016年,LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將超過30億美元。   報告認(rèn)為,隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布,LED照明市場快速增長,這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場,到2016年,大功率LED出貨量將達(dá)190億個,總值超過30億美元。   LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機(jī)遇,到2016年將可帶動20億美元的功率半導(dǎo)體市場。市面上具有各種不同的電子設(shè)計、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣,這也給大
        • 關(guān)鍵字: LED照明  MOSFET  

        集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

        • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能,文中一一有分解說明。
          關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個PIN腳功能(上接第1
        • 關(guān)鍵字: 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

        IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

        Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項(xiàng)與設(shè)計要點(diǎn)

        • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻,因此在通信電源,服務(wù)器電源,電源適配器以及臺式電腦電...
        • 關(guān)鍵字: Super-junction  PFC  MOSFET  

        [組圖]800瓦M(jìn)OSFET功放

        • 800瓦M(jìn)OSFET功放功放適合大功率的AV場合,看看參數(shù)吧:頻響寬度:10HZ--100KHZ失真度(8歐姆100W輸出時):0 ...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  功放  

        Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

        • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,讓反激式電源設(shè)計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器,作為理想驅(qū)動二極管。同時,ZXGD3105N8還能使機(jī)頂盒取得少于100mW的待機(jī)功耗,以及逾87%的滿載效率。
        • 關(guān)鍵字: Diodes  控制器  MOSFET  

        功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

        • 摘要:在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機(jī)制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上,研究了無緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線,明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET,表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
        • 關(guān)鍵字: 二維數(shù)值  模擬  能力  SEB  MOSFET  功率  

        智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能

        • 智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競爭激烈,他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加,但是沒有考慮到另外一個可能的失效點(diǎn)的影響。在所有這些點(diǎn)都需要電源,并且
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  醫(yī)療設(shè)計  可靠性  性能    

        羅姆推出高耐壓功率MOSFET

        • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  電阻  MOSFET  

        瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

        • 全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品,包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的μPA2812T1L。
        • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  MOSFET  μPA2812T1L  

        飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

        • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件,滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求
        • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  
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        super junction mosfet介紹

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