super junction mosfet 文章
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型熱增強型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件,專門用于提高電池管理系統、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。日前發布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60
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MOSFET N溝道
近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場,包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
上月有消息稱,RTX 2070顯卡恢復生產,考慮到RTX 2060 Super與RTX 2070性能接近,老黃的操作有些讓人看不懂。不過,Gamers Nexus的報道坐實了傳言。非公廠商爆料稱,他們正積極從NVIDIA下單芯片,以補充RTX 2070庫存。之所以出現上述情況,據說是競品AMD RX 5700系列尤其是RX 5700 XT備貨不足導致的,究其根本,就要怪罪到臺積電的頭上,當下7nm的需求是在是太火爆了。當然,對于NV和AIC來說,如何重新對RTX 2070定價也值得關注。RTX 2060的
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RTX 2070 RX 5700 XT RTX 2070 SUPER
功率 MOSFET也有兩年多時間了,這方面的技術文章看了不少,但實際應用選型方面的文章不是很多。在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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MOSFET 功率MOSFET
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過,這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善,特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低,這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果,市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高,對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求,進一步改進MOSFET/ IGBT產品,但在某些時候,收益遞減
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SiC MOSFET 意法半導體
開關調節器中的快速開關瞬變是有利的,因為這顯著降低了開關模式電源中的開關損耗。尤其是在高開關頻率時,可以大幅提高開關調節器的效率。但是,快速開關轉換也會帶來一些負面影響。開關轉換頻率在20 MHz和200 MHz之間時,干擾會急劇增加。這就使得開關模式電源開發人員必須在高頻率范圍內,在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了創新的Silent Switcher?技術,即使是極快的開關邊沿,也可能產生最小電磁輻射。圖1.對開關模式電源進行開關轉換,在開關節點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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開關 MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發的系列產品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關損耗可降低約35%,非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外,羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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SiC MOSFET
最近,由深圳市科學技術協會、坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產化替代進程,助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論
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碳化硅 二極管 MOSFET
Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,兩者均為符合車用規范的 MOSFET,采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區域,可在直流對直流 (DC-DC) 轉換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時的 RDS(ON) 標
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MOSFET 汽車
中國,2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發布高壓功率轉換器,集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET,使離線電源兼備寬壓輸入與設計簡單的優點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統垂直堆疊FET和相關無源元件,即可實現類似的電壓處理能力,可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉換器內置漏極限流保護功能,MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常見開關式電源拓撲,包括原邊或副
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電源 意法半導體 擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器
昨晚,加量不加價的RTX 2080 Super顯卡發售解禁,得益于流處理器、核心頻率、顯存帶寬三位一體的提升,公版的整體性能綜合提升了7%,意味著RTX 2080可以正式退場了。在國內外數不勝數的評測文章中,LR列出的一張圖很值得玩味,內容是關于輸出每一幀所花費的成本,可以說是代表顯卡性價比非常直觀的指標。《全境封鎖2》1440P由于RTX 2080 Super保持了和RTX 2080相同的首發價,所以在相同游戲中平均輸出一幀所需的成本必然是降低了,本游戲中是從10.11美元減少為8.52美元。不過RTX
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RX 5700RX 5700 XTRTX 2080 SUPERRTX 2060 SUPER
? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導體上顯出優勢。在應用中,在光伏和服務器市場最大,正處于發展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過,制約SiC發展的,最主要的是價格,主要原因有兩個,一個是襯底,一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應地下降,ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面,眾廠商競爭
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SiC MOSFET
中美貿易戰戰火延燒,華為禁令事件已經讓大陸業者火速要求邏輯IC供應鏈緊急備貨,熟悉功率元件業者透露,除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應鏈以及臺系邏輯IC供應體系外,瘋狂掃貨力道已經蔓延到功率基礎元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
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華為 MOSFET 中美貿易戰
你可能聽說過Autopilot,這是特斯拉推出的先進駕駛輔助系統,它結合了自適應巡航控制、前方碰撞警告和車道保持輔助等功能。還有另一個不太知名的自動駕駛輔助系統叫做Super Cruise,這是由凱迪拉克開發的,自兩年前首次亮相以來,Super Cruise只搭載了一款車型CT6。而在今年紐約車展上,凱迪拉克宣布將在第二款車型CT5上搭載,并計劃在2020年實現該系統的升級。
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Autopilot 特斯拉 Super Cruise
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德國 慕尼黑) 摘要:通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。 關鍵詞:IGBT; MOSFET; 柵極驅動器;耐受性;隔離? ? &nb
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201905 IGBT MOSFET 柵極驅動器 耐受性 隔離
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