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- 隨著汽車中電子系統數量的成倍增加,車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此,新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準,該標準對傳導型和輻射型 EMI 發射做了嚴格的限制。由于其本身的性質,開關電源充斥著 EMI,并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今,低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起,成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求,同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
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MOSFET,LT8650S
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大,適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用,適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。 900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率,使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
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Power Integrations MOSFET
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大,適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用,適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。 900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率,使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
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Power Integrations MOSFET
- Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品的重要補充,也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000 碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
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Littelfuse MOSFET
- 隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求,為填補供應鏈中此一環節的不足,在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技,近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」,其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝,在本月已有數家客戶穩定投片進行量產,在線生產良率連續兩月高于99.5%。 同時為了協助客戶一站式接軌BGBM工藝,在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上,除了提供濺射沉積(Sputteri
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宜特 MOSFET
- 1 引言
MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性,可自動調節電流,因而易于并聯應用。但由于器件自身參數(柵極電路參數及漏源極電路參數不一致)原因,并聯應用功率MOSFET管會產生電流分配不均的問題,關于此問題,
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MOSFET 并聯 電流 分配
- 在電動和混合動力汽車中,需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接,而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現的。這些接觸器通常充滿惰性氣體,包圍觸點以消除空氣。通常,在高壓電池系統中,需要三個接觸器:一個用于兩個主要電池導體,另一個更小的版本用于預充電功能。傳統的電池斷開電路圖如圖1所示。 電動汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案,以解決電池斷開問題。功率半導
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MOSFET,混合動力
- MOSFET已經是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中,與MOSFET相比,雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
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開關電源 BJT MOSFET
- 在看到MOSFET數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱
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MOSFET 數據 電感器 連續電流
- 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解,希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解,切記一點:能量不會無緣無故的產生,所以,三極管一定不
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MOSFET 電源
- 在電子電路設計中,散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環境下,空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
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大功率電 MOSFET 功率耗散
- 功率MOSFET目前在一些大中型開關電源的驅動電路中得到了廣泛的應用,此前我們曾經為大家總結了幾種MOSFET在驅動電路中的常見應用方式,在今天的文章中
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MOSFET 驅動電路 電源
- 功率開關器件MOSFET在驅動電路中的應用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關電源產品中,利用MOSFET完成驅動電路的設計不僅省時省力,還具有
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MOSFET 驅動電路 設計
- 功率器件MOSFET在很多電路系統的設計中都得到了廣泛的應用,而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環,需要研
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MOSFET 同步整流 DC-DC
- 由于不間斷電源的興起,IGBT技術得以飛速發展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應,因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅動進行輔助
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MOSFET IGBT 隔離驅動
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