super junction mosfet 文章 最新資訊
同時實現業界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結 MOSFET “R60xxVNx系列”
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS?”產品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型，新產品非常適用于電動汽車充電樁、服務器、基站等需要大功率的工業設備的電源電路、以及空調等因節能趨勢而采用變頻技術的白色家電的電機驅動。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動汽車充電樁、服務器和基站等工業設備以及空調等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應用損耗并提高可靠性
- 在數字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發展大勢并滿足相關市場需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術，廣泛適用于大功率應用，包括服務器、電信設備、工業SMPS、電動汽車快速充電、電機驅動、太陽能系統、儲能系統和電
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東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現了優異的低損耗特性。此外，開關
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恩智浦與日立能源合作開發電源模塊，加快碳化硅在電動交通領域的采用
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導體模塊在電動交通領域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件，可比采用傳統硅IGBT獲得更高的續航里程，提高系統整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
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非互補有源鉗位可實現超高功率密度反激式電源設計
- 離線反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關關斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網絡可以有效地實現電壓鉗位，但在每個開關周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關采用互補驅動的有源鉗位技術，使得能效得以提高，但它們會對電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設計限制，可以采用另外一種更先進的控制技術，即非互補有源鉗位。該技術可確保以
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統設計的關鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現更高的效率、更高的功率密度以及業內領先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業標桿。該器件的應用領域十分廣泛，涵蓋電機驅
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Power Integrations推出業界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC
- InnoSwitch3產品系列陣容再度擴大，新器件不僅能顯著減少元件數量，還可大幅提高電動汽車和工業應用的效率
- 關鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動汽車 牽引逆變器
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