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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
- 關鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。 FD-SOI技術平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設計平臺和設
- 關鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
意法半導體面臨兩難之選：拆分or策略調(diào)整
- 很難想象業(yè)界芯片巨擘意法半導體(STMicroelectronics)正迫切地需要一項全新的成長策略吧?而這家歐洲半導體巨擘目前所面對的兩難甚至還牽涉到在公司內(nèi)外都有影響舉足輕重的的一些人。 一般來說，公司高層主管和業(yè)界分析人士認為，這家總部位于瑞士的半導體公司必須為其未來長遠發(fā)展導向全新方向。但究竟應該拋棄沉重的負擔與非核心產(chǎn)品?還是維持現(xiàn)狀而只需微幅調(diào)整策略，逐漸在占主導的產(chǎn)品領域建立強大的市場地位?在決定ST是否應該大幅重組業(yè)務與產(chǎn)品組合時，高層管理團隊之間卻出現(xiàn)了意見分歧。 該公司
- 關鍵字： ST 芯片 IC
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