- 1 引言隨著信息時代的到來，各種信息的集成和交互越來越頻繁。運動控制系統中需要處理和存儲的信息量也與日俱增，大部分運動控制系統的核心器件MCU自身已經集成了較大容量的存儲器（與以前MCU相比），但僅僅依靠MCU自身的存儲器一般很難滿足系統對大容量存儲的要求，因此必須找到高效的方法實現對系統存儲容量的擴展。SPI是一個高效、數據位數可編程設置的高速輸入/輸出串行接口，幾乎所有MCU生產廠商都提供對SPI接口的支持，目前高速SPI接口的時鐘頻率已達到60MHz甚至更高，SPI接口一般只用4根連接線即可完成所有
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Flash擴展 SPI 消費電子 消費電子
- Ramtron推出汽車級16Kb SPI 接口FRAM 器件FM25C160 滿足汽車電子AEC-Q100標準認證 此款產品豐富了適用于嚴苛汽車環境的汽車級產品陣容 Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存儲器件FM25C160已經獲得AEC-Q100標準認證 (汽車電子設備委員會針對集成電路而設的測試標準)。FM25C160是第三款達到AEC-Q100標準認證的FRAM器件，
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16Kb FM25C160 FRAM Ramtron SPI 接口 汽車電子 汽車級 器件 存儲器 汽車電子
- 使用SPI找到無鉛制造缺陷的根本原因 Jeff Harrell, 安捷倫科技自動光學檢測系統(AOI)產品經理 錫膏印刷在無鉛制造質量中發揮著關鍵作用，為印刷過程SMT組裝流程的后續環節部分提供了關鍵的基礎。為使制造商能夠處理回流焊后焊點的相關問題，根據錫膏沉積特定的根本原因,對無鉛對生產線最終質量的影響是至關重要的。首先，可以通過結構化實現的三維錫膏印刷檢測(3D SPI)識別這些根本原因，并且利用3D SPI更好的實現過程控制以及識別變化。此外，在電路板組裝后認
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SPI 測量 測試 缺陷 無鉛制造
- 隨著電子技術的不斷發展，嵌入式系統越來越多地在控制類、消費類、通訊類等電子產品中廣泛應用，并且隨著數字信號處理與人機交互界面等相關技術的不斷成熟，嵌入式多媒體應用數量也逐漸上升。多媒體業務的數據量大，數據內容復雜，在多媒體應用中數據的存儲與管理是不容回避的問題。FLASH存儲器因制造成本低廉、存儲容量大、數據非易失、無機械故障，在目前的嵌入式系統中被廣泛用作外存儲器件。然而Flash存儲器卻是一種數據正確性非理想的器件，應用中可能會出現壞損數據單元，這又給應用Flash存儲器的嵌入式系統進行數據存儲管理增
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FLASH 單片機 嵌入式系統 消費電子 移動多媒體 消費電子
- 1 引言 閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優點，廣泛應用于通訊設備、辦公設備、家用電器、醫療設備等領域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數據參數的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器（ROM）使用。
現在的數字電路應用系統設計中，經常遇到大容量的數據存儲問題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優點，而成為應用系統中數據存儲器件的首選。由于在研制實時信號處理系統時，需要一塊大容量的Flash來存儲坐標變換的數據作查找表，因此
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- 本文所敘述的引導方法在四通道數據采集系統中得到了有效的驗證，并且整個過程操作起來非常方便快捷。
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Flash 引導裝載
- 1 引言
FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優點，已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質有較大區別，使用FLASH時必須根據其自身特性，對存儲系統進行特殊設計，以保證系統的性能達到最優。
2 FLASH的特點FLASH是一種非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory），根據結構的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
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- 1 引言
一般來說，測溫方式可分為接觸式和非接觸式，接觸式測溫只能測量被測物體與測溫傳感器達到熱平衡后的溫度，所以響應時間長，且極易受環境溫度的影響；而紅外測溫是根據被測物體的紅外輻射能量來確定物體的溫度，不與被測物體接觸，具有不擾動被測物體溫度分布場，溫度分辨率高、響應速度快、測溫范圍廣，穩定性好等特點，近年來在汽車電子、航空和軍事上得到越來越廣泛的應用。
2 測溫原理概述PWN的全稱是Pulse Width Modulation（脈沖寬度調制）即通過調節脈沖的周期、寬度，以達到變壓、變頻的目的，
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SPI 測量 測試 紅外測溫 脈沖寬度調制 模塊
- 以TMS320VC5410為例，介紹對Am29LV200B Flash存儲器進行程序分頁燒寫以及上電后多頁用戶程序并行自舉的方法。
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Flash 燒寫 程序 并行
- 中國北京, 2006年6月7日–英特爾（中國）有限公司今天宣布, 將擴展其NOR閃存產品線，以滿足不斷增長的數十億美元嵌入式市場的需要。英特爾公司計劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產品進入迅速發展的串行閃存領域。 英特爾的上述行動體現了其對NOR嵌入式閃存市場的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應用到各種消費電子
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NOR 消費電子 英特爾 消費電子
- 為配合某電力測量儀表的開發，對Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動串行模式下完成對XC2S30 的在線配置。該方案具有接口簡單、成本低廉、便于移植的優點。
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