- 0 引 言
目前，隨著電子技術的不斷發展，計算機技術也得到飛速的發展，產生了很多新技術。但就計算機的基本結構來說，還是基本采用了馮?諾依曼結構。然而馮?諾依曼結構的一個中心點就是存儲一控制，所以存儲器
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VxWorks FLASH NAND 驅動
- 一、引言
SPI串行通信接口是一種常用的標準接口，由于其使用簡單方便且節省系統資源，很多芯片都支持該接口，應用相當廣泛。SPI接口的擴展有硬件和軟件兩種方法, 軟件模擬 SPI接口方法雖然簡單方便, 但是速度受到限
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FPGA SPI 總線接口
- 基于FPGA的高速大容量FLASH存儲,1、引言
數字電路應用越來越廣泛，傳統通用的數字集成芯片已經難以滿足系統的功能要求，隨著系統復雜程度的提高，所需通用集成電路的數量呈爆炸性增值，使得電路的體積膨大，可靠性難以保證 [1]。因而出現了現場可編
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FLASH 存儲 大容量 高速 FPGA 基于
- Maxim推出用于汽車開關的24通道開關觸點監測器MAX13362。器件采用單片微控制器監測多達24路遍布整個汽車的機械開關，省去了多個遠端微控制器的花費。MAX13362能在高壓(最高27V)和電池反接情況下保護低壓電路，非常適合監測工作環境惡劣的遠端機械開關。器件還提供3種工作模式(連續、輪詢和關斷)，以優化功耗。MAX13362理想用于車體控制器和車門模塊。
器件的SPI?接口提供多種編程選項。用戶可以配置輪詢周期和輪詢運行時間，以節省監測操作間的功耗。還可設置濕電流、中斷
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Maxim 監測器 開關觸點 MAX13362 SPI
- Flash存儲器已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。但是在對Flash進行編程或擦除的操作過程中，如果單片機需要處理一些緊急的情況(如中斷、數據存儲等等)，就需要暫停相對比較消耗時間的Flash編程/擦寫過程，優先處理這些緊急情況。這對Flash存儲器的工藝水平及控制技術提出了更高的要求。
瑞薩公司推出的R8C/1B單片機采用改進的Flash存儲器工藝，大大縮短了編程/擦除掛起的時間，使其能夠更加及時地響應中斷或進行其他操作。
Flash編程/擦除掛起功能
所謂掛起功能，是
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瑞薩 R8C Flash
- 隨著EDA(電子設計自動化)技術的發展和可編程邏輯器件性能的不斷提高，基于FPGA的可編程片上系統技術為系統設計提供了一種簡單、靈活、高效的途徑。基于NiosII的可編程片上系統(SoPC)設計中，幾乎所有的應用設計都需要使用Flash存儲器，而Flash的編程必需相應的目標板Flash編程設計支持。結合實際應用詳細論述了目標板Flash編程設計的創建及應用。
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Flash SoPC 編程
- 1．引言 隨著當前移動存儲技術的快速發展和移動存儲市場的高速擴大，FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優點，在移動產品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發、
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FLASH 存儲器 測試 方法研究
- ARM與TLV5637的模擬SPI接口設計, 摘 要 在對SPI接口協議進行分析的基礎上，提出了利用ARM的GPIO口來模擬SPI接口的通用實現方法。根據串行D／A芯片TLV5637的時序特性和操作要求，利用模擬的SPI接口方法，實現了對TLV5637的訪問。
關鍵詞 模擬SPI AR
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接口 設計 SPI 模擬 TLV5637 ARM
- Maxim推出4通道、24位、同時采樣ADC MAX11040。可將多達8片MAX11040采用菊鏈連接，實現32通道同時采樣，極大地簡化了系統設計。MAX11040采用獨特的可級聯SPI™/QSPI™/MICROWIRE™接口實現了上述的多通道可測量特性，省去了通過獨立片選輸入控制每個ADC的復雜電路結構。由于可用單個片選輸入控制所有8個MAX11040，所以無論采用4通道或是32通道，對主處理器來說控制邏輯是相同的。
MAX11040通過0至333&m
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Maxim ADC MAX11040 SPI QSPI MICROWIRE
- 2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發制定相變存儲器(Phase Change Memory，PCM)產品的市場規格，兩大存儲器廠商的攜手再次印證了“商場上沒有永遠的對手”。
韓國三星電子稱霸存儲器行業已有多時，其DRAM市場近30%、閃存市場近40%的份額長期無可撼動。而恒憶作為存儲器行業的新寵，其正式成立距今不過一年左右的時間。它的主要業務是整合NOR、NAND及內置RAM，并利
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Numonyx PCM DRAM RAM NOR
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產品的市場規格，此新一代存儲技術可滿足載有大量內容和數據平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰。制定針對PCM 產品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡化設計流程并縮短產品開發時間，使制造商能在短時間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產品。
相較于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯合開發前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術。
三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發PCM的通用規范，該技術有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非常快，但耗電量卻低于傳統的NOR和NAND快閃記憶體。
三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規范將于今年完成，預計明年將推出兼容設備。
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三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
- 全球非易失性存儲領導廠商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯強、世平、文曄、東棉、金龍等授權經銷商合作，在中國大陸地區銷售恒憶產品，并提供支持服務。通過這個穩固的經銷商網絡，恒憶在亞洲區的產品與技術布局將更加完整，足以滿足亞洲快速增長的嵌入式與無線市場需求，尤其是在數字消費電子、通信和手持裝置等領域。
亞洲市場規模龐大且具備驚人的發展潛力，在恒憶的全球布局中始終占有關鍵性地位，中國大陸及臺灣地區更是其中最具代表性、成長最快、爆發力最強的市場。根據iSuppli與Web Feet的研究顯示，2
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Numonyx 非易失性存儲 PCM 手持裝置 NOR RAM
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