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        MOS管短溝道效應及其行為建模

        • 1 引 言  目前,實現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應將對器件的特性
        • 關(guān)鍵字: 行為  建模  及其  效應  管短溝  MOS  

        電源變壓器的MOS場效應管逆變器制作

        • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
        • 關(guān)鍵字: 逆變器  制作  效應  MOS  變壓器  電源  

        舞臺功放MOS管改裝方法

        • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
        • 關(guān)鍵字: 方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

        基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

        • 摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實現(xiàn)了重復頻率80kHz,4kV脈沖源,實驗驗證了電磁兼容措施的
        • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關(guān)  高頻  基于  

        MOS-FET與電子管OTL功放的制作

        MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

        • MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
        • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

        MOS—FET甲乙類功率放大器

        MOS管驅(qū)動電路綜述連載(三)

        • 相對通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動電路圖2用于PMOS的驅(qū)動電路這里只針對NMOS...
        • 關(guān)鍵字: MOS  驅(qū)動電路  

        MOS管驅(qū)動電路綜述連載(二)

        • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動,有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
        • 關(guān)鍵字: MOS  

        MOS管驅(qū)動電路綜述連載(一)

        • 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
        • 關(guān)鍵字: MOS  

        MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

        • 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。...
        • 關(guān)鍵字: mos  

        MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

        • 本文詳細分析計算開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知...
        • 關(guān)鍵字: mos/開關(guān)損耗  

        開關(guān)電源設(shè)計之MOS管反峰及RCD吸收回路

        • 對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在討論前我們先做
        • 關(guān)鍵字: 吸收  回路  RCD  管反峰  設(shè)計  MOS  開關(guān)電源  

        MOS-FET開關(guān)電路

        • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
        • 關(guān)鍵字: MOS-FET  開關(guān)電路    

        采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動電路

        • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光,正向偏流只能在數(shù)10MA以下,允以獲得大的發(fā)光輸出,若采用縮小導通時的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
        • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動  電路  脈沖  發(fā)光二極管  C-MOS  與非門  采用  
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