引言：為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
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SJ-MOS VDMOS
X-FAB Silicon Foundries日前發表XT018，世界首創180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
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介紹 改裝 MOS 功放 舞臺
英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應用而設計的電源開關器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應用的高能效電源調理和電源系統設計。
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英飛凌 MOS
以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
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電路圖 方法 改裝 MOS 功放 舞臺
電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當，容易停振或
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
電路的功能如使用發光二極管直流發光，正向偏流只能在數10MA以下，允以獲得大的發光輸出，若采用縮小導通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發光電路很容易分辯外來光。電
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電路 工作 原理 分析 驅動 脈沖 C-MOS 與非門 發光二極管
采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品 ...
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數，但是，由于內部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
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工作 原理 電路 定時 時間 C-MOS 設定
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業設備，與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC MOS
這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程： 圖1 工作原理 一、方波的產生 這里采用CD4069構成方波信號發生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
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自制 逆變器 效應 MOS
NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅動功能時齙控制模式有很大...
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光耦 可調 死區時間 MOS
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