sic-mosfet 文章 最新資訊
宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
- 汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進,車載充電器(OBC)與DCDC轉換器(HV-LV DCDC)的應用因此也迅猛發(fā)展,同應對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣,設計人員把目光投向先進技術,以期利用現(xiàn)代超結硅(Super Junction Si)技術以及碳化硅(SiC)技術來提供解決方案。在追求性能的同時,對于車載產(chǎn)品來說,可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中,高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說,門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及,但事實是無論
- 關鍵字: Infineon OBC SiC
通過轉向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉換中的權衡問題

- 高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
- 關鍵字: SiC MOSFET 功率轉換
RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場空白

- 現(xiàn)階段半導體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術,利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計,研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進口品牌壟斷的局面 。一、破局進口品牌壟斷現(xiàn)階段半導體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術,利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
- 關鍵字: RS瑞森半導體 MOSFET
單芯片驅動器+ MOSFET技術 改善電源系統(tǒng)設計

- 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET(DrMOS)技術及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步,多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領域,推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉換效率,高
- 關鍵字: 單芯片 驅動器 MOSFET DrMOS 電源系統(tǒng)設計
安森美:聚焦SiC產(chǎn)能擴建,推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日,安森美公布了2022年第三季度業(yè)績,其三季度業(yè)績直線上揚,總營收21.93億美元,同比增長25.86%;毛利10.58億美元,同比增長46.82%。財報數(shù)據(jù)顯示,其三大業(yè)務中,智能電源組營收為11.16億美元,同比增長25.1%;高級解決方案組營收7.34億美元,同比增長19.7%;智能感知組營收為3.42億美元,同比增長44.7%,三大業(yè)務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領域,從傳統(tǒng)的I
- 關鍵字: 安森美 SiC MOSFET
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍

- 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產(chǎn)品組合,推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合,非常適合用于12V熱插拔應用,包括數(shù)據(jù)中心服務器和通信設備。 多年來,Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應用經(jīng)驗結合起來,增強器件中關鍵MOSFET的性能,滿足特定應用的要求,以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來,針對電池隔離(BMS)、直流
- 關鍵字: Nexperia MOSFET ASFET SOA
安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

- 2022年11月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出新系列MOSFET器件,采用創(chuàng)新的頂部冷卻,幫助設計人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應用,特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5mm x 7mm,在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上,而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板(以下簡稱“PCB”)散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面,減少PCB發(fā)熱,從而提高功率密度
- 關鍵字: 安森美 Top Cool封裝 MOSFET
如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

- 在各種電源應用領域,例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛,已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領域,例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛,已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而
- 關鍵字: Digi-Key MOSFET
全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效

- SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半導體器件,在高速開關性能和高溫環(huán)境中,優(yōu)于目前主流應用的硅(Si)IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中,SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求,實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品,其最大亮點是全SiC MOSFET模塊,不同于只用SiC SBD(肖
- 關鍵字: Toshiba MOSFET
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