工藝與材料的創新隨著時間的推移，功率晶體管技術得到了持續的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
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功率器件 工藝材料 MOSFET
引言 隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
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設計 分析 模塊 功率放大器 寬帶 SiC
功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優點，因而非常適合用作開關電源（switch-modepowersupplies，SMPS...
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大功率 開關電源 功率 MOSFET 驅動
功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優點，因而非常適合用作開關電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
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功率 MOSFET 變換器 柵極驅動
過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展成為蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
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電子系統 MOSFET 瞬態高壓
我們發現日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統-電路-器件電源管理生態系統構成的底層，晶體管的創新將會繼續在定義下一代提高功效的策略時發揮關鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統
高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發面向消費類產品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導體器件生產線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業內最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
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瑞薩 MOSFET N0413N
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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SiC 寬帶功率放大器 模塊設計 放大電路
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發展。近年來又取得了長足的進展，產生極佳的經濟及社會效益。從美國高能效經濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術而獲得的更高能效，可以使美國的經濟規模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商，安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發和創新，而且取得了長足的進展
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安森美半導體 MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設計師手冊，內容包括 IR 公司MER 產品系列的選型指南、應用手冊、數據資料和設計技巧等。
IR 的 MER 產品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎的器件是理想的固態繼電器，能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉換成幾百瓦，廣泛應用于工業控制、測試設備、外圍電信設備、電腦外設
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IR 微電子繼電器 MOSFET
為了提高系統可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發生故障，避免對電子系統造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現，但是在更多情況下，設計人員使用完全
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器件 分析 功率 MOSFET 保護 完全
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET? MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網通設備等
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IR MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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IR MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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IR 柵級驅動 MOSFET
Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes MOSFET DMC4040SSD
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