- 推出電動汽車（EV）的通告已經鋪天蓋地地席卷了全球。這些標題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動車輛皆可與基于內燃機的車輛媲美。
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電動汽車 SiC 傳輸電力
- 全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術研討會”，屆時將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進的電源設計和應用技術。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費報名通道已開啟! 一年一度的“ROHM技術研討會”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動足跡遍及全國各地，是羅姆與業界友人交流互動、分享經驗的良好平臺。今年，根據各個城市不同的行業發展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
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羅姆 SiC
- 市場研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產業發展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預測到2023年SiC功率半導體市場規模預計將達14億美元，2016年至2023年間的復合成長率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進一步提升至40%。 包括xEV、xEV充電基
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SiC PFC
- 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)，宣布獲聯合汽車電子系統有限公司(United Automotive Electronic Systems，簡稱UAES)頒發“2017年度杰出合作供應商獎”。安森美半導體是UAES最近的供應商大會上3家獲獎的半導體供應商之一。 該獎認同安森美半導體寬廣的產品陣容的價值，這些產品用于UAES領先行業的先進汽車系統方案。安森美半導體能提供大量關鍵器件用于從動力總成到汽車功能電子化、從傳統模塊如發動機控制單元(ECU)和點火系統到最新的牽引
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安森美 SiC
- 提出了一種新型快速充電策略，并設計和制作了可滿足12 V/40 Ah鋰電池組快速充電需求的高功率密度AC/DC電源，介紹了AC/DC電源拓撲結構、關鍵元件選型及參數計算。快速充電器輸入PF大于0.98，額定工作點效率大于90%。可實現12.8 V/40 Ah鋰電池組3小時內100%SoC快速充電。
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快速充電 鋰電池組 PFC LLC SiC 201808
- 行業標準的收緊和政府法規的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如，數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監管措施，以確保所有依賴能源的產品都需具有最高能效。 同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目
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SiC GaN
- 全球知名半導體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業暨工業裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導體為汽車的未來做貢獻”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機交互等相關領先半導體產品。 羅姆展臺人頭攢動 在 “Formula E國際汽聯電動方程式錦標賽”特別展示區以及“xEV”、“環保/節能”、“安全/舒適”三大展區內，重點展示了以下產品和技術： ? 先進的SiC(碳化硅)技術：助力 “Formula
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羅姆 SiC
- 當我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術將載著我們馳騁在大數據公路的快車道上。 暢想一下，新技術將影響著我們未來的工作和生活： · 汽車組裝生產線上將重新配置協作機器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產力，發揮競爭優勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間。 · 機器視覺技術將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環境下，駕駛時也可清晰視物。 · 充電器尺寸將縮小到信
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德州儀器 SiC
- 云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數據的設備的電源的通用術語。在電信或傳輸應用中，云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉換器來提供負載點電源。 由于物聯網顯著增加了捕獲某種數據的端點數(2017年付運約20億臺設備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數據。為此，正在構建大型服務器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產生熱量，終
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云電源 SiC
- 相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。 安森美半導體擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
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肖特基二極，SiC
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。 小型輔助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
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SiC，MOSFET
- 6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。” SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓
- 關鍵字：
SiC
- 6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。” SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓
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SiC
- 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規的汽車級SiC二極管提供現代汽車應用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優勢。 SiC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流，開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統尺寸和降低的成本使SiC
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安森美 SiC
- 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
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