si-cmos 文章最新資訊

CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺(tái)及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺(tái)上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測(cè)試。測(cè)試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
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AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費(fèi)電子消費(fèi)電子

32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

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CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
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AM OLED：OLED的“明日之星”

摘要：本文對(duì)近期平板顯示市場(chǎng)的一些變化,如液晶的大幅降價(jià)對(duì)PMOLED（被動(dòng)式OLED)的沖擊，AMOLED（主動(dòng)式OLED)的最新變化及技術(shù)趨勢(shì)進(jìn)行了概括分析。關(guān)鍵詞： AM OLED；TFT；LTPS；a-Si 目前OLED市場(chǎng)上占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的PM OLED，因局限于中小尺寸顯示屏市場(chǎng)，并且在技術(shù)與價(jià)格上與LCD相比優(yōu)勢(shì)不明顯，受LCD降價(jià)沖擊很大，未來(lái)并不被業(yè)界看好。相反，AM OLED技術(shù)卻在市場(chǎng)一片叫好聲中，日漸成熟，蓄勢(shì)待發(fā)。三星SDI預(yù)計(jì)在2007年進(jìn)入市場(chǎng)，開始大規(guī)
關(guān)鍵字： 0612_A AM a-Si LTPS OLED TFT 消費(fèi)電子雜志_關(guān)注焦點(diǎn) 有機(jī)發(fā)光二極管 OLED 消費(fèi)電子

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析，并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機(jī)

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
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基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

引言隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧

集成多路模擬開關(guān)（以下簡(jiǎn)稱多路開關(guān)）是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足：一是對(duì)器件自身介紹較多，而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關(guān)的種類，注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能，甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
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ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無(wú)線家庭自動(dòng)化和多種無(wú)線連接應(yīng)用要求，提供比同類產(chǎn)品提高7dB靈敏度，最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。美國(guó)模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路（IC）擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻（RF）IC產(chǎn)品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個(gè)頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
關(guān)鍵字： ADI CMOS IC 單片機(jī) 電源技術(shù) 工業(yè)控制接收器靈敏度模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 收發(fā)器亞吉赫茲窄帶工業(yè)控制

集成CMOS對(duì)稱式收/發(fā)開關(guān)的設(shè)計(jì)

本文分析了影響對(duì)稱式射頻收/發(fā)開關(guān)性能的因素，包括柵寬、導(dǎo)通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC　0.35m　CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 開關(guān) 對(duì)稱 CMOS 集成

設(shè)計(jì)指南Q&A系列：高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器

關(guān)鍵字： CMOS ADC 均衡

思比科開發(fā)CMOS手機(jī)攝像芯片實(shí)現(xiàn)本土化

　北京思比科微電子自主研發(fā)了可廣泛用于汽車電子、手機(jī)、筆記本攝像頭、醫(yī)療電子等行業(yè)的CMOS攝像芯片。該項(xiàng)技術(shù)擁有6項(xiàng)發(fā)明專利的200萬(wàn)像素CMOS攝像芯片，已通過了技術(shù)測(cè)試。　　思比科200萬(wàn)像素?cái)z像芯片，基于上海中芯國(guó)際0.18微米工藝，從設(shè)計(jì)開發(fā)到芯片制造的全部工作均在國(guó)內(nèi)完成，完全實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化。　　思比科表示：“目前，公司已經(jīng)成功研發(fā)出30萬(wàn)像素、130萬(wàn)像素、200萬(wàn)像素等多種CMOS圖像傳感器，300萬(wàn)和500萬(wàn)像素的CMOS圖像傳感器芯片現(xiàn)在已經(jīng)申請(qǐng)國(guó)內(nèi)專利8項(xiàng)，準(zhǔn)備申請(qǐng)9項(xiàng)國(guó)內(nèi)專利，出
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 手機(jī)攝像芯片思比科