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IMEC讓前TSMC歐洲總裁來加強IC業(yè)務(wù)
- 歐洲半導(dǎo)體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場發(fā)展。 可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng)造應(yīng)有的價值。顯然近年來其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的 費用高聳,也難以為繼。 近幾年來IMEC與TSMC的關(guān)系靠近, 之前它的進步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強它在全球的超級能力,IMEC與TSMC在各個方面加強合作。 IMEC作
- 關(guān)鍵字： IMEC 光刻 CMOS
IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器
- 致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求，在消費、計算和存儲應(yīng)用中無需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產(chǎn)品提供
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海力士將于5月決定8寸晶圓廠未來
- 海力士(Hynix)唯一還在運作中的8寸晶圓廠M8產(chǎn)線，下周將確定往后的運用方案，海力士的選擇受到業(yè)界矚目。海力士正在尋找解決辦法，因為持續(xù)運作，早晚會遭遇收益性問題，而要以出銷方式處理也不是件容易的事情。部分IC設(shè)計業(yè)者提議將此設(shè)施作為代工專用廠使用，另外也有建構(gòu)成韓國代表性純代工廠的意見。 海力士社長權(quán)五哲22日在財報說明會中，針對M8 廠是否會改變?yōu)榇Ｓ脧S的問題表示，目前正在多方探討M8廠長期性的活用方案，5月底前可定案。 位于韓國忠清北道清州的M8廠主要生產(chǎn)低容量快閃存儲器，并
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全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成
- 日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆粒可節(jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。 爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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臺積電讓大家感到驚奇的7件事
- 象過去多年來一樣, 在今年的會上臺積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會中對于會議的觀察及感受; 1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺積電, 那時正值全球IC業(yè)混亂時代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會上見到張時仍是如1990年首次見到它時那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認為至今年底公司將從今日的2
- 關(guān)鍵字： 臺積電 CMOS Analog MEMS RF
張忠謀談半導(dǎo)體業(yè) 需要加強合作
- 臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。 在近期舉行的臺積電技術(shù)會上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。 它對于大家說,此種合作關(guān)系要從芯片設(shè)計開始, 并相信未來臺積電會做得更好。 它同時指出，加強合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構(gòu)成大的威脅。 非常幸運, 大部分
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器
- 提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動大的電容負載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
- 關(guān)鍵字： CMOS 低功耗 轉(zhuǎn)換速率 模擬
基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計
- 摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負反饋結(jié)構(gòu)，設(shè)計了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能
- 關(guān)鍵字： 3GHz CMOS 低噪聲放大器 優(yōu)化設(shè)計
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