- 富士通公司已收購德國英飛凌科技的一個軟件研發中心和飛思卡爾半導體生產RF產品所需知識產權，以力圖加強其海外業務。
綜合外電9月3日報道，富士通公司(Fujitsu Ltd.)已收購了部分美國和歐洲的半導體企業，因該公司力圖加強其海外業務。
在歐洲，富士通公司以1萬億日圓從德國英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG) 子公司Comneon GmbH接管了一個當地軟件研發中心和50名工程師。該研發中心將為車載系統芯片設計軟件，支持富士通的汽車導航系統和儀表顯示產品。
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富士通 RF
- 富士通公司已收購德國英飛凌科技的一個軟件研發中心和飛思卡爾半導體生產RF產品所需知識產權，以力圖加強其海外業務。
綜合外電9月3日報道，富士通公司(Fujitsu Ltd.)已收購了部分美國和歐洲的半導體企業，因該公司力圖加強其海外業務。
在歐洲，富士通公司以1萬億日圓從德國英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG) 子公司Comneon GmbH接管了一個當地軟件研發中心和50名工程師。該研發中心將為車載系統芯片設計軟件，支持富士通的汽車導航系統和儀表顯示產品。
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富士通 RF LTE
- 日前，由謝布克大學、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司攜手成立的新微電子創新中心在加拿大魁北克Bromont高科技園區正式落成。該研究中心將對下一代硅片集成以及MEMS系統進行深入研究與開發。
新的微電子創新中心對于DALSA未來的發展尤為關鍵，尤其是在MEMS與WLP相關設備的安裝和未來操作職責上擔負主要角色。
Dalsa是一家MEMS、高壓CMOS和先進CCD制造代工廠。
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IBM MEMS CMOS
- 市場研究機構StrategiesUnlimited指出，全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%，來到64億美元規模，不過接下來將逐漸恢復正常成長。該機構預期，未來數年該市場的平均年成長率會維持在個位數;到09年為止，其十年來的復合年成長率高達22%。
圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經濟景氣循環影響，而這樣的負面影響恐怕會持續下去，特別是在該市場因為幾乎所有手機都內建相機而經歷爆炸性成長之后。未來幾年，預計圖像傳感器的銷售量仍將呈現成長，但短期需求波動、供應過剩或吃緊，以及沉重的價
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CCD 傳感器 CMOS
- 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術上所限難以實現，而多采用中頻采樣的方法。而對
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Telescopic 0.13 CMOS 工藝
- 無線市場就像是我們的一個新生的領域。新的射頻(RF)技術的爆炸性增長為解決老問題創造了新機會。靈活的高分辨率波形生成，數字化以及分析子系統能夠利用射頻信號配合下變頻, 并且調整多個關心點也是必需的。在并發，
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儀器 AMD 嵌入式 FPGA RF 處理 USB
- 展訊通信近日發布了2009年第二季度未經審計財務報告。報告稱，第二季度實現總營收1620萬美元，同比下降60%，環比增長97%;季度凈虧損1310萬美元，環比上升58%，去年同期為盈利260萬美元。
總營收1620萬美元，環比增長97%，同比下降60%。基帶和RF(無線射頻)業務收入環比增長101%，同比下降58%。
毛利潤率為23.6%，第一季度為19.4%，去年同期為45.2%。
非GAAP凈虧損合每股0.15美元，環比下降12%，去年同期為每股盈利0.11美元。
GAAP
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展訊 基帶 RF
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電壓比較器是對輸入信號進行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個模擬信號和另一個模擬信號(參考信號)，并以輸出比較得到的二進制信號。其在A／D轉換器、數據傳輸器、切換功率調節器等設備中有著廣泛的應用。在
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CMOS 性能 集成 電壓比較器
- 1、元件布局 先述布局總原則：元器件應盡可能同一方向排列，通過選擇PCB進入熔錫系統的方向來減少甚至避免焊接不良的現象；由實踐所知，元器件間最少要有0.5mm的間距才能滿足元器件的熔錫要求，若PCB板的空間允許
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電路 設計 技巧 PCB 音頻 及其 RF
- “隨著MTK(聯發科)市場份額的進一步擴大，包括展訊在內的其他手機芯片廠商的市場被進一步蠶食。” 這是iSuppli中國研究部總監王陽對展訊通信二季度虧損千萬美元的解讀。
8月19日，展訊通信發布了2009年第二季度未經審計財務報告。報告顯示，今年二季度實現總營收1620萬美元，同比下降60%;期內凈虧損1310萬美元，而去年同期盈利為260萬美元。
自去年三季度開始，這已經是展訊連續四個季度出現虧損。最為嚴重的去年四季度，展訊一度虧損達5230萬美元。
而前
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展訊 手機芯片 TD-SCDMA RF
- SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發明了一種能顯著提高內存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學家們將這種內存稱為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統的電介質材料制作。
這種技術能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數據。此外，有關的制
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內存芯片 CMOS FeDRAM
- 片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發展趨勢。
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CMOS 圖像傳感器 集成 轉換器
- 隨著無線系統中的復雜數字調制信號越來越多，對GPS等射頻信號進行現場識別和分析越來越具挑戰性，特別是在市區環境中。但是，現場信號識別和分析對提高GPS應用設計而言又非常重要。如何利用先進的測試設備和方案解決
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