向低碳社會挺進的美國打算控制智能電網領域的主導權，并聲稱將為此竭力取得智能電網的國際標準。目前，NIST(美國國家標準技術研究所)已開始與日本經濟產業省展開標準化討論，而且IEC(國際電工委員會)也在美國主導下展開了研究。包括政府保證的額度在內，美國準備向可再生能源等綠色產業投入 1000億美元的資金，力爭在2020年之前將溫室氣體比2005年削減14%。這一目標的實現要依靠節能、可再生能源及環保汽車(插電混合動力車)為主力軍，而作為可為此提供依托的基礎設施，智能電網被寄予了厚望。
對標準的掌控
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半導體 MCU RF
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市開設兩家恩智浦高性能射頻(RF)產品技術中心。中心主要從事射頻/微波集成電路(IC)設計，涉及領域包括國防航空、工業、科學和醫學衛星接收器及寬帶通信中等。其中，于年內第一季度成立的上海恩智浦高性能射頻產品技術中心主要關注從射頻前端到末級放大器的射頻器件設計開發、技術支持、售后服務等一條龍全方位射頻解決方案。目前上海公司市場部、技術部人才招聘正在進行。
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NXP RF
本文設計并實施了一款基于最新MEMS(微電子機械系統)技術的可以空中使用的鼠標產品，以滿足當前計算機快速家電化、娛樂化的需求。本設計集成了先進的微電子機械系統技術(MEMS)、2.4G低功耗無線射頻通信技術(2.4G/RF)、USB接口技術以及實時多任務操作系統uC/OS技術。本產品可以讓鼠標脫離桌面環境，方便易用，讓用戶獲得家電化的計算機操作體驗，是一款真正“可以飛的鼠標”。同時，其所用的技術還可以滲透到其他傳統的遙控器中，以大幅提升用戶體驗。
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時代民芯 MEMS 空中鼠標 2.4G RF
瑞薩電子開發出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產品，該公司試制出了bit密度達到業界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞薩電子 SRAM CMOS
全球領先的芯片制造協會SEMATECH和先進無線芯片供應商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協議，共同推進CMOS技術進一步發展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設計公司，Qualcomm將深入參與和SEMATECH的研發項目，共同探索延續摩爾定律的新技術。
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Qualcomm CMOS 芯片設計
本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
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CMOS 0.5 um 電流反饋
用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
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CMOS TTL 集電極開路 功耗
端到端網絡流的介紹
NI端到端網絡(P2P)流技術使用PCI Express接口在多個設備之間直接，點對點傳輸，而不必通過主處理器或存儲器。這可使同一個系統中的設備共享信息而不必占用其它的系統資源。NI P2P技術被以下設備支持：PXI Express NI FlexRIO現場可編程門陣列(FPGA)模塊(NI PXIe-7961R, PXIe-7962R, and PXIe-7965R)，PXI Express數字化儀和矢量信號分析儀，包括NI PXIe-5122，PXIe-5622和 PXI
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NI RF 端到端
引言
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CMOS 高線性度 調幅 電路技術
CMOS雙向開關也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關在模擬電路和數字電路應用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關產品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優良，使用方便且成本低。每個開關只有一個控制端和兩互為輸入/輸出信號端，
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CMOS 開關 工作原理
BLF888是500W LDMOS RF功率晶體管，用于廣播發射和工業應用。在UHF頻帶470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W，峰值包絡功率500W，功率增益19dB，漏極效率46%，VDS 電壓50 V，漏極靜態電流1.3A。本文主要介紹了BLF888
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廣播 發射 方案 RF 500W BLF888 設計 基于
MAX19994A是雙路RF下變換器,RF范圍從1200MHz到2000MHz,LO范圍從1450MHz 到 2050MHz,IF范圍從50MHz到500MHz,典型的轉換增益為8.4dB,典型的噪音為9.8dB,輸入IP3典型值為+25dBm,輸入1dB壓縮點為+14dBm,單電源5.0V 或3.3
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變換 方案 RF 雙路 MAX19994A 設計 基于
引言我們都很熟悉那些隱藏在車庫、地下室或其它隱蔽之處的電表了。我們甚至可能每月會檢查它一次或...
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AMR AMI ADI RF
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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PA 砷化鎵 CMOS 單芯片手機 SiCMOS
5月25日，imec中國正式在上海張江高科技園區成立。同時，與華力微電子在先進芯片制程工藝技術上的合作開發項目也正式簽約。
imec與中國的合作已有十年的歷史，隨著中國在先進制程上的不斷投入，中國已經成為imec潛在的一個重要市場。imec中國今后將會進一步加強與中國企業、高校和科研院所在微電子技術轉讓與許可、聯合研發以及培訓等領域的合作。目前imec中國只有五名員工，隨著今后越來越多的合作協議的簽訂，imec中國將會吸引更多的研發人員與當地企業展開更加緊密地合作。
imec中國成立當天，
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imec CMOS 65nm
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